Все статьи - Физика

Преподавание физики – интересная и сложная область, требующая постоянных исследований. Современные информационные технологии помогают в преподавании предметов и научных исследованиях. С другой стороны, в эпоху бурного развития науки и технологий заинтересовать современных студентов может быть сложно. Кроме того, информационная перегрузка может привести к кратковременному хранению ресурсов в мозгу. Поэтому умение эффективно использовать новые технологии на каждом уроке является одним из главных требований к учителям [1]. В данной статье рассматриваются темы более широкого использования современного демонстрационного опыта в системе высшего образования и формирования квалификации и навыков новых поколений профессоров и преподавателей. Оно также направлено на повышение эффективности урока за счет использования реальных и виртуальных лабораторий и формирования у учителей навыков изготовления демонстрационных устройств.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время 11 процентов или 14,5 млн. квадратных километра от общей площади земного шара являются пригодными для сельскохозяйственного производства1. А площадь песчаных земель в США составляют 492 тыс. га, в Китае - 270 тыс. га, в Австралии - 400 тыс. га, в Саудовской Аравии - 233 тыс. га, в Аргентине и Чили - 673 тыс. га. Основные песчаные массивы в Туркменистане, Казахстане, Узбекистане расположены на площади 300 тыс./га. В Центральной Азии пустынно-песчанные земли составляют 38 млн. га или 38,2% от общей площади-. На сегодняшний день эффективное использование земель с ухудшенным мелиоративным состоянием и низким плодородием являются актуальной проблемой.
В мировой практике хлопководства, в таких странах как Израиль, Египет, Китай на песчаных почвах с очень низким плодородием, путем внесения дополнительного питания создается возможность повышения урожайности до 32-40 центнеров с гектара. Кроме того, путем применения различных агротехнологических мероприятий песчаные и супесчаные почвы обогащаются питательными элементами, применяются инновационные технологии, направленные на восстановление и повышение почвенного плодородия. Защита от воздействия ветров песков, песчаных барханов, песчаных рядов с низким плодородием и подверженных ветровой эрозии, выращивание в этих землях сельскохозяйственные культуры, а также разработка технологии применения в природных и искусственных экранах различных удобрений (N, Р, К, местные удобрения - навоз, лигнин) в пропорциональных соотношениях, подходящих сроках, нормах и методах для повышения урожайности высококачественного хлопка и пшеницы в условиях орошения являются одним из актуальных проблем агропочвоведения и агрофизики, хлопководства и зерноводства.
В нашей республики в годы независимости проведены широкомасштабные мероприятия по эффективному использованию орошаемых песков и супесчаных земель и улучшению экологомелиоративного состояния земель. В результате проведения этих мероприятий на песчаных и супесчаных землях, в частности с каждого гектара сельхозугодий Центральной Ферганы, достигнута прибавка урожая хлопка-сырца на 2-3 центнера и пшеницы на 4-6 центнера. Вместе с этим, не уделено должное внимание разработке приемлемых агротехнологий направленных на определение генезиса, морфогенетических свойств песчаных и супесчаных земель с трудным мелиоративным состоянием, предотвращение протекающих в них эрозионных процессов. В Стратегии действий Республики Узбекистан на 2017-2021 годы «...дальнейшее улучшение мелиоративного состояния орошаемых земель, развитие сети мелиоративных и ирригационных объектов, широкое внедрение в сельскохозяйственное производство интенсивных методов, прежде всего современных водо- и ресурсосберегающих агротехнологий» определено одним из важных стратегических задач. В этом отношении научно исследовательские работы по улучшению мелиоративного состояния неплодородных, трудномелиорируемых песчаных земель, разработке и внедрению современных водно и ресурсосберегающих агротехнологий приобретают важное значение.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указах Президента Республики УП-4533 от 19 апреля 2013 года «О мерах по коренному совершенствованию системы мелиоративного улучшения земель» и У П-4947 от 7 февраля 2017 года «О стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является повышение производительной способности песков Центральной Ферганы, усовершенствование противоэрозионных технологий, а также разработка новых агротехнологий ухода за сельскохозяйственными культурами.
Научная новизна исследований заключается в следующем:
впервые доказано улучшение агрофизических и агрохимических свойств и обогащение питательного режима песчаных площадей с естественным экраном в результате оставления 14-15 см стерни ржи;
определено повышение урожайности хлопчатника и культур входящих в хлопковый комплекс на подверженных дефляции бугристо-барханных, песчаных землях при применении эффективных норм минеральных и органических удобрений;
разработана технология водосбережен ия и улучшения экологомелиоративного состояния песчаных земель путем создания естественных и искусственных экранов;
определено, что в результате создания естественных экранов на хлопковых полях фермерских хозяйств коробочки раскрываются на 3-4 дня раньше;
разработана технология использования дренажных и арычных отбросов при помощи мероприятий, направленных на улучшение экологического состояния окружающей среды.
Выводы
1. Из 80 тысяч гектаров песчаных барханов Центральной Ферганы освоены 60 тысяч гектаров, из них 50 тысяч гектаров используются в сельском хозяйстве. На этих землях из сельскохозяйственных культур в основном высеваются хлопчатник, колосовые, зерновые и бахчевые культуры. С точки зрения мелиоративного почвоведения эти земли считаются низкоплодородными, трудномелиорируемыми, нуждающимися в дополнительной подкормке.
2. На спланированных и старо-освоенных песчаных холмах, барханах, рядах Центральной Ферганы встречаются орошаемые территории с естественным экраном и с песками, супесью, а в некоторых местах с легких суглинком на поверхности. Песчаные площади, изученные при исследовании, по генезису на поверхности состоят из песков, а в нижних горизонтах более тяжелого механического состава. Мощность поверхностных горизонтов этих спланированных почв достигает от 30 см до 140 см, в некоторых местах до 2-3 метров.
3. Освоенные пески Ферганской долины сухие и беззащитные, и подвергаются ветровой эрозии при скорости ветра 4,3-4,5 м/сек. Па этих территориях с целью предотвращения процессов ветровой эрозии путем оседания ила, и обработки достигают создания искусственных экранов.
4. Создание искусственного экрана с помощью обработки илистыми отходами дренажей (мелкозем), с первых лет оказал положительное влияние на объемную массу пахотных и подпахотных (0-30 и 30-40 см) слоев исследованных песчаных почв. В опытах при внесении по отношению к контролю 1000 тонны на гектар мелкозема на 0-30 см слое почв объемная масса составила 1,43 г/см3, а в 30-40 см слое этот показатель составил в среднем 1,42 г/см3.
5. При создании искусственного экрана заметно повышается влажность песков, полевая влагоемкость увеличивается вниз по профилю. Па контрольном варианте влажность в 0-30 см слое составляла 4,3%, в 30-40 см слое 5,8%, при внесении мелкозема 1000 тонн на гектар полевая влагоемкость повышается соответственно до 8,4-22,5%.
6. При создании искусственного экрана урожайность хлопчатника заметно возрастает, особенно на варианте с внесением на песчаные почвы толщиной 75 см 1000 тонн мелкозема на гектар, урожайность хлопчатника по сравнению с контролем увеличился на 17,1 ц/га. Высокий урожай хлопка отмечен на созданных экранных площадях, на песчаных почвах толщиной 50 см, здесь при количестве минеральных удобрений N-350, Р2О5-25О, К.20-125 кг/га урожай достигает 38,8 ц/га. А в контрольном варианте этот показатель был равен 18,4 ц/га. При внесении в максимальных количествах нитратного азота, подвижного фосфора и обменного калия соответственно 200, 140 и 100 кг/га, а также 40 т/га навоза и 60 т/га лигнина на почвы посевных площадей с искусственным экраном, наблюдается хороший рост и развитие хлопчатника, и средний урожай 29,8 ц/га.
7. Оптимальные нормы минеральных удобрений, положительно влияющих на урожайность хлопка, на спланированных песках с естественным экраном, наблюдаются на фоне - N-200, Р2О5-МО, К2О-ЮО кг/га + 60 т/га лигнина и 40 т/га навоза. В этом варианте средняя урожайность по сравнению с контролем составляет соответственно 2,9-5,2 ц/га. Оптимальные количества внесенных минеральных удобрений и лигнина, а также навоза вместе с увеличением урожайности, оказывают положительное воздействие на технологические свойства волокна. Значить увеличение или уменьшение этих норм отрицательно влияют на урожайность хлопка и качество волокна.
8. По данным опытов в почвах с толщиной в 50-75 см с искусственным экраном влажность достигает 18,3%, урожайность пшеницы и хлопка повышается. Для получения высоких урожаев пшеницы с песков данной толщины целесообразно внесение азота - 160, фосфора - 160, калия - 80 кг/га.
9. Для занятия земледелием на спланированных песках с естественным экраном, в этих условиях поверхность песков можно защитить от ветровой эрозии при помощи 12-14 см слоя остатков ржи (корни, стерня), при этом густота насаждения составляет 170-200 шт. /м2. Для получения высоких и качественных урожаев хлопка с песчаных территорий с толщиной 50-75 см с естественным экраном рекомендуется применение азотных удобрений в количестве 250 кг, фосфора 200 кг и калия 170 на гектар.
10. Для повышения урожая хлопка на спланированных песках с фоном естественного экрана рекомендуется внесение N-200 кг/га, Р2О5 -140 кг/га, К2О-Ю0 кг/га и 40 т/га навоза или 60 т/га лигнина под зябь. При этом целесообразно вносить под зябь P20s -100 кг/га, К2О-50 кг/га, при посеве N-30 кг/га, P2Os -20 кг/га, в фазу 2-3 листов симподии 50 кг/га азота, в фазу бутонизации 60 кг/га, в фазу цветения 60 кг/га азота, 20 кг/га фосфора и 50 кг/га калия.
11. В фазу 2-3 листов симподии разделение грядки борозды при помощи культиватора, и создание новой борозды дает положительный результат.
12. Создание искусственных экранов при возделывании озимой пшеницы на спланированных освоенных песках не приносит экономическую выгоду, поэтому не рекомендуется проведение этих агромелиоративных мероприятий.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире на сегодня одному из наиболее достоверных, чувствительных и информативных оптических методов исследования полупроводников и полупроводниковых пленочных структур - анализу их спектров фотолюминесценции в области фотоники и оптоэлектроники уделяется особое внимание. В этом аспекте особо важными задачами являются глубокое исследование спектров низкотемпературной фотолюминесценции кристаллов CdTe и прогнозирование свойств полупроводниковых структур на их основе, анализ спектров экситонной люминесценции (ЭЛ), позволяющее получить самую тонкую информацию о дефектах полупроводникового материала, точный количественный расчет их с учетом поляритонного эффекта и реального экситонного затухания.
В последние время большое внимание обращено исследованиям роли межзеренных границ в формировании физических свойств крупнозернистого CdTe методами микрофотолюминесцентного зондирования, изучению примесно-дефектного состава приграничных и внутренних областей монокристаллических зерен с размерами 1-2 лш. В этой сфере важными задачами являются проведение научных исследований по следующим направлениям: создание надежного оптического метода контроля и диагностики кристаллических полупроводниковых материалов; разработка эффективной технологии получения тонких мелкозернистых пленок с фотовльтаическими свойствами и изучение их электрофизических, оптических и фотоэлектрических параметров; разработка метода анализа НТФЛ чистых и легированных тонких поликристаллических пленок с целью выяснения роли фоточувствительных областей и примесных центров в формировании их оптических и фотоэлектрических свойств.
В годы независимости существенное внимание уделено актуальным приоритетным научным направлениям фундаментальных и прикладных исследований. В этом направлении по получению монокристаллов CdTe и легированных тонких поликристаллических пленок достигнуты существенные результаты. Согласно Стратегии действия по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, особое внимание обращено задачам создания эффективных механизмов практического применения научных и инновационных достижений. В этом аспекте очень важным является усовершенствование методов глубокого теоретического исследования оптических параметров полупроводников и тонкопленочных полупроводниковых структур в области фотонике и оптоэлектроники. Данная диссертация посвящена теоретическому и экспериментальному изучению новых механизмов формирования спектров НТФЛ (Т«4,2 К) кристалла CdTe, а также тонких поликристаллических пленок чистой CdTe и легированной CdTe.In, результаты исследования которых служат для усовершенствования технологии создания детекторов ионизирующих излучений, эффективных источников света, высоковольтных фотогенераторов и других аналогичных оптоэлектронных приборов.
Настоящее диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП^947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» от 7 февраля 2017 года и в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах подалнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017-2021 гг.» от 13 фефраля 2017 года и № ПП-2789 «О мерах по далнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других аналогичных нормативно-правовых документах, принятих в данной сфере.
Целью исследования является определение механизмов формирования спектров экситонной люминесценции монокристаллов CdTe и низкотемпературной фотолюминесценции чистых CdTey легированных CdTe.In тонких мелкозернистых пленок.
Научная новизна исследования заключаются в следующем:
разработан механизм формирования поляритонной люминесценции полупроводниковых кристаллов типа теллурида кадмия с небольшим значением продольно-поперечного расщепления при конечных
затуханиях механических экситонов;
определена тонкая структура спектров поляритонной люминесценции кристаллов теллурида кадмия и динамика изменения их формы в условиях аномальной дисперсии в окрестности экситонного резонанса Ля=1, где нарушается критерии применимости кинетического уравнения Больцмана для функции распределения поляритонов;
показано, что резкое увеличение тока короткого замыкания легированнных индием структур теллурида кадмия связаны термополевой миграцией ионов ЬГ‘ и вакансий кадмия во внутрикристаллических асимметричных электростатических полях границы зерен, и их самокомпенсацией;
установлено, что экситонный эффект Штарка и процесс генерации фото- ЭДС в приграничных барьерных областях кристаллических зерен мелкозернистых пленок CdTe, CdTe-.In приводит к формированию спектров низкотемпературной фотолюминесценции, сильно отличающихся от монокристаллов и крупноблочных поликристаллов;
впервые обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной фотолюминесценции и фотовольтаическими свойствами мелкозернистых поликристаллических пленок CdTe, CdTe: In.
Заключение
На основе результатов определения механизмов формирования спектров экситонной люминесценции монокристаллов CdTe и низкотемпературной фотолюминесценции чистых CdTe, легированных CdTe:In тонких мелкозернистых пленок сделаны следующие выводы:
1. Согласно предложенной модели формирования ПЛ кристаллов типа CdTe излучающие квантовые состояния поляритонов в окрестности экситонного резонанса An=i заселяются за счет рассеяния поляритонов нижней ветви 1 из области to>(oL с достаточно большими к и показано, что в ПЛ дают вклады упруго рассеянные на примесях поляритонные волны с верхними 2 и нижними 1 дисперсионными ветвями, а также их интерференция.
2. Разработан микроскопический метод расчета парциальных спектров ПЛ кристаллов типа CdTe при конечных значениях hr с использованием диаграммной техники Келдыша для функции Грина экситонов, справедливый и в случаях, когда нарушается критерии применимости кинетического уравнения Больцмана для функции распределения поляритонов.
3. Показано, что теоретический спектр ПЛ кристаллов CdTe, в соответствии с экспериментальным спектром, при значениях hr < 0.6 мэВ обнаруживает асимметричную дублетную тонкую структуру с максимумами в окрестностях частот а)0 (Ло-линия) и coL (AL -линия), а при Г>ГС-синглетную линию с максимумом вблизи частоты ю0, причем для случаев Г»ГС контур этой линии приобретает лоренцевский вид, что отражает полное подавление поляритонного эффекта сильным экситонным затуханием.
4. Разработан способ получения фотовольтаической пленки путем вакуумного испарения теллурида кадмия в количестве 95 мае. % и легирующей примеси индия - 5 мае. % из различных тиглей. Согласно этому способу напыление примеси индия задерживают на 2-3 мин и прекращают на 3-5.чин раньше, чем напыление теллурида кадмия, а термическую обработку проводят в атмосферном воздухе в присутствии насыщенных паров хлорида кадмия при температуре 250 °C в течение 2-4 мин.
5. Показано, что фотонапряжение, генерируемое оптимально отожженной пленкой CdTe:In (2+4 103 В) при комнатной температуре под действием света лампы накаливания с интенсивностью L-IO4 лк на порядок, а фототок короткого замыкания на два порядка больше, чем у нелегированных образцов, а за стимулирование фотовольтаических свойств пленок CdTe:In ответственны термополевая миграция ионов 1п+‘ и вакансий кадмия У cd во внутрикристаллических асимметричных полях границы зерен,
и их самокомпенсация.
6. В спектрах НТФЛ мелкозернистых пленок CdTe при возбуждении на длине волны Л = 476,6 ни светом непрерывного газоразрядного АС -лазера впервые была обнаружена фундаментальная полоса излучения с полушириной ДА ~ 10э-20.иэВ (Л-линия) и её LO - и 1LO - фононные повторения.
7. Обнаружен эффект коротковолнового смещения красной границы А-
линии, обусловленной е- h -рекомбинацией разделенных электрическим полем приграничной ООЗ горячих фотоносителей и показано, что значения смещения Д£„ и спектральная полуширина Дл пропорциональны и зависят от частоты, интенсивности освещения и структурных дефектов пленки.
8. Установлено, что в спектрах НТФЛ мелкозернистых пленок CdTe, CdTe: In с фотовольтаическим свойством в отличие от монокристаллов и крупноблочных поликристаллов не проявляется экситонный и ДАП- каналы излучения, причиной которого является процесс генерации фото - ЭДС в приграничных областях кристаллических зерен, приводящий к стимулированию собственной люминесценции и возгоранию её LO-повторений в чистых образцах.
9. Обнаружена корреляция между спектром НТФЛ и фотовольтаическими свойствами пленок CdTe, CdTe: In. Выявлено, что в спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных барьеров на границах зерен, легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы, а дальнейшая термическая обработка - к резкой активации собственной полосы, полуширина которой связана с максимальным значением фотонапряжения Улф„.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время, в мире в бурно развивающемся направлении физики полупроводников, особое внимание уделяется физическим процессам, протекающим в двумерных гетероструктурах (2D) рассчитанных на расширение потребляющих низкие токи элементной базы наноэлектронных приборов. В этом аспекте важными задачами являются определение физической природы носителей тока в квазидвумерных наноразмерных гетероструктурах, обеспечение оптимальной работы полученных на основе таких гетероструктур быстродействующих транзисторов в дальнем инфракрасном и терагерцевом дипазонах, коротоковолновых квантовокаскадных лазеров, резонансно-туннельных диодов и детекторов, особенно для малоразмерных гетероструктур.
Во всем мире на сегодня уделяется большое внимание изучению рабочих характеристик малых квазиразмерных гетероструктур. При этом, является одной из важных задач проведение целевых научных исследований в следующих направлениях: как энергетический спектр, оптимизация транспортных процессов, экспериментальное и теоретическое изучение энергетического спектра и транспортной массы электронов в сильнолегированной квантовой яме, плотность энергетических состояний электронного газа в условиях заполнения нескольких минизон, также энергии Ферми,энтропии,теплоемкости.
В годы независимости в нашей республике в перспективных
направлениях науки получены существенные результаты по технологии получения полупроводниковых структур с узкой запрещенной зоной. В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, стимулирование научно-исследовательской и инновационной деятельности, уделение особого внимания на вопросы создания эффективных механизмов внедрения научных и инновационных достижений в практику, в данном аспекте глубокое исследование физических процессов в наноструктурах, созданных на основе разных полупроводниковых материалов являются наиболее важными.
Настоящая научно-исследовательская работа в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан ПП-4947 «О Стратегии движений по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» от 07.02.2017 года, ПП-2772 «О приоритетах развития электротехнической промышленности Республики Узбекистан в 2017 - 2021 годах» от 13.02.2017 года, ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17.02.2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является определение зависимости характеристических параметров электронного газа на основе гетероструктуры AlSb /InAs/ AlSb от полной концентрации электронов.
В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:
определение спектра электронов в гетероструктуре AlSb /InAs/ AlSb с учетом конечности глубины квантовой ямы и непараболичности дисперсии;
разработка упрощенных моделей спектра электронов, позволяющих аналитические оценки;
проведение численных (если возможно и аналитических) расчетов плотности энергетических состояний, транспортной массы электрона, энергии Ферми и др. величин двумерного электронного газа в зависимости от полной концентрации;
исследование заполнения электронами минизон, термодинамического потенциала и энтропии двумерного электронного газа в зависимости от полной концентрации и температуры.
Научная новизна исследования:
разработана упрощенная модель для спектра электронов в минизонах с учетом непараболичности свойств зонной структуры AlSb/InAs/AlSb, конечности глубины квантовой ямы для электронов и скачка массы в гетеропереходе AlSb/InAs/AlSb;
найдено математическое уравнение для описания взаимосвязей величин, полной концентрации двумерного электронного газа, концентрации электронов в минизонах, энергии Ферми, транспортной массы;
приведена математическая модель описывающая зависимости плотности энергетических состояний двумерного электронного газа и энтропии от температуры в условиях восполнения нескольких минизон;
показана возможность определения плотности энергетических состояний двумерного электронного газа на основе значений эффективной массы измеренных на уровне Ферми;
показано, что с ростом температуры, скачкообразное изменение плотности состояний постепенно разглаживается и, непараболичность закона дисперсии проявляется в широком интервале температур.
Заключение
На основе изучения зависимости характеристических параметров электронного газа на основе гетероструктуры AlSb /InAs/ AlSb от полной концентрации электронов сделаны следующие выводы:
1. Обратная пропорциональность значений квантованных уровней от эффективной массы т(Е) при учете непараболичности в дисперсии двумерных электронов приводит к сдвигу энергетических уровней пространственного квантования в направлении дна минизоны по сравнению с параболическим случаем.
2. Найдено, что при увеличении концентрации уровень Ферми пересекает дно очередной минизоны, а перекрытие различных минизон приводит к резкому росту плотности состояния газа из-за ее концентрационной зависимости.
3. Имеющийся при низких температурах резкий скачок в точке E = EF распределения Ферми-Дирака и скачки в плотности состояний с повышением температуры сглаживаются, в том числе также сглаживаются, а непараболичность зоны проводимости проявляется в поведении плотности состояний газа даже при относительно высоких температурах.
4. На примере InAs/AlSb предложен простой способ качественного расчета энтропии, переносимой массы, вклада подуровневых электронов, зависимости энергии Ферми от концентрации, характеристик квазидвумерных электронных газов.
5. На основе формулы описывающей взаимосвязь между полной концентрацией и данной критической концентрацией найдены эффективная масса на уровне Ферми, плотности энергетических состояний и критические концентрации в высшей минизоне InAs/AlSb гетероструктуры.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире научные исследования, направленные на обеспечение воздушных линий электропередачи электроэнергетических систем волоконно-оптическими приборами связи, а также на разработку средств применения грозозащитных тросов со встроенными оптическими кабелями, имеют важное значение. В этой связи научные разработки, направленные на обеспечение непрерывной и качественной работы электроэнергетических систем, а также на повышение их эффективности, занимают лидирующее положение. В развитых странах, «в электроэнергетических системах особое внимание уделяется грозозащитным тросам со встроенными оптическими кабелями, позволяющими защищать высоковольтные воздушные линии электропередачи от прямых ударов молний, а также в значительной степени улучшить качество передачи большого объема информации на расстояние»1.
В мире при проектировании электроэнергетических систем особое внимание придаётся разработке новых и улучшенных методов математических моделей и алгоритмов. В этой сфере реализуемые работы по проведению научных исследований, в том числе по разработке метода расчета токов несимметричных коротких замыканий, определению эквивалентных параметров грозозащитных тросов, разработке алгоритмов снижения токов в грозозащитных тросах со встроенными оптическими кабелями являются одними из важных задач.
С обретением независимости республики особое внимание уделяется качественному развитию энергетики, являющейся одной из важнейших отраслей экономики и способствующей повышению её техникотехнологического уровня на основе современных требований. В этом отношении значительные результаты достигнуты при разработке алгоритмов расчетов токов при несимметричных режимах на воздушных линиях электропередачи в электроэнергетических системах. В то же время разработка алгоритмов расчетов токов при несимметричных режимах в системах многопроводных воздушных линий электропередачи, остается востребованным. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 годы определены задачи, направленные на «...сокращение энергоемкости и рссурсосмкости экономики, широкое внедрение в производство энергосберегающих технологий...»2 Выполнение поставленного задания, в том числе разработка алгоритмов для расчетов токов несимметричных коротких замыканий на воздушных линиях электропередачи, определение эквивалентов грозозащитных тросов, снижение токов в грозозащитных тросах со встроенными оптическими кабелями считаются одними из важнейших задач.
Данное диссертационное исследование служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлениях Президента Республики Узбекистан №ПП-2343 от 5 мая 2015 года «О Программе мер по сокращению энергоемкости, внедрению энергосберегающих технологий в отраслях экономики и социальной сфере на 2015-2019 годы» и №ПП-3012 от 26 мая 2017 года «О программе мер по дальнейшему развитию возобновляемой энергетики, повышению энергоэффективности в отраслях экономики и социальной сфере на 2017-2021 годы», а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной области.
Целью исследования является разработка усовсршенствованых алгоритмов по выбору грозозащитных тросов в многопроводных воздушных линиях электропередачи, позволяющих учитывать параметры по всей длине трассы.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
определена зависимость расчетных значений токов в проводах при режимах несимметричных коротких замыканий от параметров многопроводных воздушных линий электропередачи (геометрия опор, длина пролетов, типы проводов фаз и грозозащитных тросов) на основе применения разряженных матриц;
усовершенствованы эквивалентные сопротивления грозозащитных тросов на воздушных линиях электропередачи с учетом суммарных сопротивлений заземлений опор;
усовершенствован алгоритм расчетов термической устойчивости грозозащитных тросов токам при несимметричных коротких замыканиях, на основе представления воздушных линий электропередачи многопроводной системой;
усовершенствована возможность снижения уровня токов в грозозащитных тросах со встроенными оптическими кабелями при режимах несимметричных коротких замыканий, на основе изолирования сопротивлений опор на подстанциях.
Заключение
Проведенные исследования по теме диссертации “Разработка усовершенствованных алгоритмов для расчета токов несимметричных коротких замыканий в многопроводных воздушных линиях электропередачи” позволяют сделать следующие выводы:
1. Проведенный анализ существующих методов по выбору ГТ/ОКГТ из условий ТУ токам при несимметричных КЗ на ВЛ показал, что применяемые алгоритмы для расчетов токов в ГТ/ОКГТ при несимметричных КЗ основаны на большом количестве допущений, снижающих точность результатов, а также требующих проведения большого объема работ при многовариантных расчетах. В связи с этим усовершенствованы уточненные алгоритмы расчетов токов в ГТ/ОКГТ при несимметричных КЗ на опорах ВЛ различного класса напряжений, позволяющих учитывать различные характеристики параметров по всей длине трассы ВЛ. В результате появилась возможность применения алгоритмов повышенной точности для расчетов несимметричных КЗ различного класса напряжений.
2. Впервые разработана уточненная модель ВЛ на основе представления ее многопроводной системой, дающая возможность учитывать разнородность параметров проводов фаз и ГТ/ОКГТ, разную длину пролетов, разнородность геометрии опор, различие сопротивлений грунтов по трассе ВЛ, являющихся причинами несиммстрии трехфазной системы проводов. Такой учет невозможен или ограничен в моделях, используемых в существующих методах расчетов токов в проводах ВЛ при несимметричных КЗ. В результате, разработанная модель дала возможность определять значения токов, несимметричных КЗ на ВЛ.
3. Разработаны алгоритмы моделирования заземления ГТ/ОКГТ на опорах многопроводных ВЛ, позволяющие учитывать режимы заземления ГТ, величины сопротивления заземлений опор по всей протяженности трассы ВЛ, а также сопротивления контуров заземления подстанций. Применение разработанных алгоритмов для проектирования ВЛ дало возможность увеличить точность результатов при расчетах токов КЗ в тросах.
4. Разработаны алгоритмы моделирования несимметричных КЗ фазных проводов в многопроводных ВЛ. При этом разработанный алгоритм не требует применения МСС и позволяет рассчитывать напряжения несимметричных КЗ.
5. Разработаны усовершенствованные алгоритмы выбора ГТ в многопроводных ВЛ, позволяющие проводить расчеты в независимости от количества проводов в рассматриваемой системе и различий длин между пролетами. Указанные алгоритмы внедрены при проектировании ОКГТ на ВЛ электропередачи 500 кВ «Сырдарья» ТЭС - «Ново-Ангрсн» ТЭС и позволили учитывать разнородность параметров всех участков трассы ВЛ электропередачи, что дало возможность увеличить точность расчетов токов несимметричных КЗ.
6. Разработаны алгоритмы расчетов эквивалентных параметров ГТ/ОКГТ ВЛ. Указанные алгоритмы внедрены при проектировании ВЛ электропередачи 500 кВ «Сырдарья» ТЭС - «Ново-Ангрсн» ТЭС, это дало возможность учитывать сопротивления заземлений опор по всей трассе ВЛ и увеличить точность результатов расчетов.
7. Разработаны энерго- и ресурсосберегающие режимы работы ОКГТ посредством выполнения заземлений сопротивлений опор ВЛ. Данные энерго-и ресурсосберегающие режимы внедрены при проектировании воздушной линии электропередачи 500 кВ «Сырдарья» ТЭС - «Ново-Ангрсн» ТЭС (справка АО «Узбекэнсрго» от 4 сентября 2017 года РМ-01-21/6928). Применение энерго- и ресурсосберегающих режимов в процессе проектирования позволило выбрать ОКГТ меньшего сечения и сократить затраты проекта на 27 %.

Актуальность и востребованность темы диссертации. На сегодняшний день в мировой практике особое значение уделяется снабжению потребителей бесперебойной качественной электроэнергией и снижению потерь, возникающих вследствие ухудшения качества электроэнергии. В этом отношении в сфере энергетики пристальное внимание уделяется повышению эффективности генерации, передачи и потребления электроэнергии. В развитых странах мира «потери электроэнергии сосредоточены в основном в сетях 0,4-10 кВ, общая доля потерь в них, от суммарных, в целом составляет около 60 %»'.
В мире особое внимание придаётся определению показателей качества электроэнергии с помощью специализированных средств измерений. В этой сфере осуществление направленных научно-исследовательских работ, в том числе направленных на разработку усовершенствованных алгоритмов расчета для определения уровня установившегося несимметричного режима в электрических сетях, создание методов и технических средств снижения несимметрии токов и напряжений, разработка средств измерения показателей качества электроэнергии в низковольтных электрических сетях являются одними из важнейших задач.
С приобретением независимости республике особое внимание было уделено качественному развитию энергетики, являющейся одной из важнейших отраслей экономки, способствующих повышению её технико-технологического уровня на основе современных требований. В этой связи при учете электроэнергии в низковольтных электрических сетях были достигнуты определенные успехи, в том числе создано эффективное управление с использованием автоматизированной системы контроля и учета электроэнергии. Вместе с этим необходимо совершенствование, в том числе устройств повышения качества и снижения потерь электроэнергии в низковольтных электрических сетях. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан в 2017-2021 годах отмечены задачи «... улучшение обеспечения населения электрической энергией на основе строительства новых и модернизации действующих электрогенерирующих мощностей, обновления низковольтных электрических сетей и трансформаторных пунктов, а также реализация мер по улучшению обеспечения населения другими топливно-энергетическими ресурсами и расширение использования возобновляемых источников энергии»2. Осуществление этой задачи, в том числе создание устройств определения и устранения несимметричных режимов низковольтных электрических сетей и трансформаторных пунктов является одним из важнейших вопросов.
Данное диссертационное исследование в определённой степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлении Президента №ПП-2661 от 23 ноября 2016 года «О Программе по дальнейшей модернизации и обновлению низковольтных электрических сетей на период 2017-2021 годы» и Постановлении Кабинета Министров Республики Узбекистан №294 от 13 декабря 2010 года «О программе модернизации и обновления низковольтных электрических сетей на 2011-2015 годы», а также в других нормативноправовых документах, принятых в этой сфере.
Целью исследования является разработка методов и средств обеспечения показателей качества электроэнергии при установившихся несимметричных режимах в низковольтных электрических сетях.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
разработка методики оценки потерь при продольной и поперечной несимметрии в низковольтных электрических сетях;
разработана схематическая конструкция электромагнитного преобразователя несимметрии трехфазного тока в напряжение;
разработана метод обеспечения качества электроэнергии с использованием электромагнитного преобразователя несимметрии трехфазного тока в напряжение;
разработано устройство «Malika-01», предназначенное для измерения показателей качества электроэнергии в низковольтных электрических сетях. 
Заключение
На основе результатов исследований, проведённых по теме «Разработка методов обеспечения качества электроэнергии при несимметричных режимах в низковольтных электрических сетях» диссертации доктора философии (PhD) по техническим наукам, представлено следующее заключение:
1. Низковольтные распределительные сети напряжением 0,4 кВ работают в условиях значительной несимметрии токов и напряжений, обусловленных неравномерностью распределения однофазных нагрузок по фазам сети и случайным характером их работы, а также это приводит к значительному ухудшению показателей качества и даст возможность определения сопутствующим им дополнительным потерям электроэнергии.
2. Сделан анализ способов и технических средств, позволяющих обеспечить качество электроэнергии и снизить дополнительные потери в низковольтных сетях с несимметричными нагрузками. Обосновано, что наиболее эффективным техническим средством снижения несимметрии токов служат специальные симметрирующие устройства с автоматическим регулированием мощности по фазам.
3. Разработана методика оценки дополнительных потерь при продольной и поперечной несимметрии. Доказано, что при коэффициенте несимметрии токовой нагрузки по фазам Кн = 1.0 величина потерь в сети увеличивается более, чем на 30%, и эта зависимость близка к линейной.
4. Для комбинированного способа управления компенсацией реактивной мощности разработан электромагнитный преобразователь несимметрии трехфазного тока в напряжение, на конструкцию которого получен патент на изобретение IAP № 05383. Этот преобразователь даст возможность преобразования информации точнее по сравнению существующими в два раза выше.
5. При включении симметрирующего устройства определено, что в первом узле происходит уменьшение К21 15 %, Koi 17 %, Кр до 1,12, по сравнению с режимом работы сети без симметрирующего устройства. Таким образом, даст возможность наблюдения наибольшего симметрирующего эффекта при включении симметрирующего устройства в первом узле нагрузок.
6. Разработано устройство «Malika-01», которое предназначено для измерения показателей качества электроэнергии в низковольтных электрических сетях и получен патент РУз на полезную модель FAP № 01166. Внесен в Государственный реестр №05.13919-2016.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире на сегодня в бурно развивающемся направлении физики магнетизма одним из перспективных направлений является воздействие на доменную структуру магнетиков, предназначенных для применения в компьютерных и телекоммуникационных системах, робототехнике. В этом аспекте с целью расширения их функциональных свойств, проведение фундаментальных исследований по выявлению механизмов формирования магнитных характеристик и физических процессов в редкоземельных ферритах-гранатах, является одним из важнейших задач.
В последние годы в мире внимание уделяется на изменение и управление доменными структурами ферро- и ферримагнетиков воздействием внешних факторов. В тоже время требует изучения следующие аспекты: изучение изменения доменной структуры при ориентационном фазовом переходе; магнитооптических характеристик при изменении доменной структуры; изменения вектора спонтанной намагниченности кристаллов указывает на актуальность темы данной диссертации.
В годы независимости учеными нашей республики большое внимание уделяется применению и изучению магнитооптических и воздействию на доменную структуру магнетиков. В этом направлении в изучении магнитных свойств, магнитооптических характеристик и доменных структур ферримагнетиков, а также их применению в микроэлектронных устройствах различного назначения получены ощутимые результаты. В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, является наиболее важным обратить особое внимание на разработку эффективных механизмов внедрения достижений научных исследований, в этом аспекте повышение эффективности отрасли микроэлектротехники путем применения результатов исследований физических процессов протекающих в полупроводниковых приборах имеет важное значение.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных Указе Президента № УП-4947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» от 7 февраля 2017 года и в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах по дальнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017 - 2021 гг.» от 13 февраля 2017 года и № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является получение новых экспериментальных результатов по спонтанным и индуцированным внешними воздействиями фазовым превращениям в магнитоупорядоченных кристаллах, а также развитие на их основе положений существующей термодинамической теории магнитных ориентационных фазовых переходов.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
впервые проведены прямые визуальные наблюдения эволюции доменной структуры феррита-граната ТЬо.2бУ2.74Ғе50|2 при спонтанной переориентации направления оси легкого намагничивания, и показано, что вблизи температуры исследованного фазового перехода магнитооптическая восприимчивость кристалла имеет узкий резкий максимум, а коэрцитивная сила - уменьшается;
предложена модель перестройки доменной структуры феррита-граната ТЬо.2б¥2,74Ғе5012 в температурной области спонтанной переориентации оси легкого намагничивания, позволяющая непротиворечиво описать всю совокупность полученных экспериментальных результатов;
впервые выполнены экспериментальные исследования магнитного ориентационного фазового перехода, индуцированном двуосными механическими напряжениями в кубическом ферримагнетике;
развита феноменологическая теория индуцированного механическими напряжениями ориентационного фазового перехода в РЗФГ.
Заключение
На основе полученных новых экспериментальных данных спонтанных и индуцированных внешними воздействиями фазовыми переходами магнитоупорядоченных кристаллов, существующей термодинамической теории магнитных ориентационных фазовых переходов представлены следующие выводы:
1. Показано, что доменная структура образцов феррита-граната Tb0.26Y2.74Fe5Oi2, имеющих разную кристаллографическую ориентацию, как направление доменных границ, так и тип реализующейся доменной конфигурации существенно зависят от присутствия в кристалле механических напряжений.
2. Предложена модель доменной структуры образцов исследованного кристалла, имеющих вид плоскопараллельной пластинки, развитые поверхности которых параллельны кристаллографическим плоскостям (111) и (110).
3. Впервые показано, что при спонтанной переориентации направления оси легкого намагничивания, сосуществуют домены низкотемпературной и высокотемпературной магнитных фаз, а перестройка доменной конфигурации кристалла сопровождается заметным температурным гистерезисом.
4. Показано, что вблизи температуры исследованного фазового перехода магнитооптическая восприимчивость кристалла имеет узкий резкий максимум, а коэрцитивная сила - уменьшается.
5. Предложен оригинальный метод создания в кристалле неоднородных механических напряжений заданной симметрии, позволяющий проводить исследования влияния упругих деформаций кристаллической решетки на магнитное состояние и процесс технического намагничивания магнитоупорядоченных кристаллов.
6. Впервые установлено, что в двуосно напряженном кубическом ферримагнетике Ho06Y24Fe5O12, магнитный ориентационный фазовый переход I - ого рода и сопровождается заметным гистерезисом.
7. На основе термодинамического потенциала двуосно напряженного кубического кристалла развита феноменологическая теория исследованного ориентационного фазового перехода.
8. Переориентация направления спонтанного магнитного момента кубического кристалла под действием механических напряжений происходит как фазовый переход либо I - ого (переориентация оси легкого намагничивания происходит скачком), либо II - ого рода (ось легкого намагничивания плавно меняет свое направление от одной кристаллографии-ческой оси к другой).

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время в мировой практике в области физики полупроводников уделяется особое внимание одному из перспективных направлений измерению энергии альфа и бета частиц, гамма и рентгеновского излучений, определению процессов взаимодействия протон, нейтрон других частиц служащих для разработки новых типов ядерных детекторов. В этом аспекте одной из важных задач является определение процессов формирования функциональных характеристик и физических процессов протекающих в них для оптимизации функциональных параметров полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов.
В Республике в перспективном направлении науки, в частности в разработке координатно-чувствительных детекторов. В улучшении их параметров новым подходом, по разработке предназначенных для использования в таможненных службах и ядерных реакторах, получены значительные результаты. В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан является важным освоение принципиально новых видов продукции и технологий, обеспечение на этой основе конкурентоспособности отечественных товаров на внешних и внутренних рынках. В этом аспекте обеспечение защиты будущего поколения и национальную безопасность от воздействия радиации путем разработки полупроводниковых детекторов, приборостроения имеет важное значение.
На сегодня в мире особое внимание уделяется координатно-чувствительным детектором большого диаметра для медицинской диагнос-тики. В этом направлении проведение целевых научных исследований в приведенных направлениях является важным: определение возможностей расширения функциональных характеристик кординатно-чувствительных детекторов большого диаметра; разработка методов усовершенствования технологических процессов полупроводниковых детекторов ядерного излучения на основе монокристалла кремния; поиск путей улучшения параметров координат но-чувствительных детекторов большого размера на основе кремниевых p-i-n-структур; разработка на основе гетеросистем координатно-чувствительных полупроводниковых детектров и оптимизация их спектрометрических характеристик.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан № ПП-1442 «О приоритетных направлениях развития индустрии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2015 года и № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии Паук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является выявление особенностей технологии изготовления полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов ионизирующего излучения на основе монокристалла кремния больших диаметров и их функциональных характеристик.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
разработаны методы механических и химических обработок кристаллов кремния большого диаметра;
разработан способ двухсторонней диффузии, обеспечивающий в два раза меньшее время процесса диффузии в кремниевых структурах большого диаметра;
разработан технологический маршрут изготовления координатночувствительных 8, 16 и 32 полосных детекторов больших размеров на основе Si(Li) p-i-n-структур;
на основе Al-aGe-pSi-Au-гетероперехода созданы не уступающие аналогам на 20% высокой чувсвительностью 8 полосные координатночувствительные детекторы;
создан полупроводниковый координатно-чувствительный 8-ми полосный полупроводниковый детектор на основе гетероперехода Al-aGe-pSi-Au с фронтальным омическим контактом и тыльным контактом со скрепленным охлаждающим элементом Пельтье, обеспечивающим уменьшение токов утечки в два раза.
Заключение
На основе исследования особенностей технологии изготовления полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов ионизирующего излучения на основе монокристалла кремния больших диаметров (~100 мм) и их функциональных характеристик сделаны следующие выводы:
1. Разработан технологический маршрут, в котором обеспечена резка пластин большого диаметра, процесс диффузии и дрейфа лития в режиме уменьшения рабочего напряжения со 100 В до 15 В, а также равномерность примесей под воздействием ступенчатого импульсного электрического поля.
2. Разработан метод двухсторонней диффузии в кремниевых структурах для изготовления координатно-чувствительных детекторов больших размеров, позволяющий в два раза уменьшить время диффузии.
3. Изготовлены большого диаметра 8-ми полосные и 16-ти полосные детекторы с возможностями использования для томографических систем с энергетическим спектром по р-частицам электрон внутренней конверсией 207Bi (Е|)~1 МэВ) Rp=38 кэВ и по а-частицам 226Ra (Е„=7,65 МэВ) R, =65 кэВ, что находится на уровне заводских.
4. Разработан полупроводниковый координатно-чувствительный детектор, предназначенный для регистрации заряженных частиц в медицине и т.д. включающий p-i-n-структуру фронтальными омическими контактами из золота в виде восьми, шестнадцати и тридцати двух полос, тыльным сплошным контактом из алюминия, который контактирует с термоохлаждающим элементом Пельтье, позволяющее уменьшить токи утечки в два раза.
5. Выявлены технико-технологические аспекты создания координатночувствительных детекторов на основе гетеропереходных Al-aGe-pSi-Au структур с энергетическим разрешением 45 кэВ, то есть в два раза лучшими, чем в кремний-литиевых детекторах (65 кэВ) и в три раза меньшими токами утечки.
6. Изготовлен макет стенда для испытания координатно-чувствительных детекторов предназначенный для демонстрации визуализации сканирования объекта, «просвечиваемого» источником ионизирующего излучения.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время во всем мире уделяется особое внимание проблемам создания новых видов оптоэлектронных приборов, а также усовершенствованию инжекционных фотодиодов, как одному из перспективных направлений в области развивающейся физики полупроводников. При этом исследование принципов работы инжекционных фотодиодов, влияния напряжения смещения на генерацию электронно-дырочных пар и процессов модуляции сопротивления базы под воздействием электромагнитного излучения считаются основными задачами создания нового вида фотодиодов.
В настоящее время в мире в области физики полупроводников уделяется большое внимание определение роли параметров базы в формировании физических свойств инжекционных фотодиодов. При этом проведение целевых исследований, в том числе выполнение нучных изыскательских работ в следующих направлениях считается важными задачами: глубокое изучение физических процессов, происходящих в исследуемых системах и определение механизмов формирования фотоэлектрических характеристик, усовершенствование технологических способов изготовления инжекционных фотодиодов, определение зависимости спектральных характеристик фотодиодов с гетероструктурой на основе сульфида кадмия и кремния от процессов, происходящих на гетерогранице, нахождение путей оптимизации их функциональных параметров, а также решение проблемы усовершенствования технологии их получения.
По Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан обращается особое внимание вопросам создания механизмов применения в практику достижений науки и инновации. В том числе определение возможностей управления электронными процессами, происходящими в микроэлектронных и полупроводниковых гетероструктурах и управление спектральными характеристиками считается одим из важных задач. В год поддержки иновационных идей и технологий, активного предпринимателя, поднятие полученных научных результатов на современный уровень достоин особого внимания. При этом повышение эффективности путем оптимизации функциональных характеристик фотодиодных гетероструктур, предназначенных на различный спектральный диапазон, имеет важное значение. В этом аспекте разработаны способы уменьшения токов утечек различными внешними воздействиями. Па ряду с этими, выяснение причин, влияющих на формообразование спектральных характеристик гетероструктур на основе сульфида кадмия и кремния, определение электронных процессов, характеризующих статических и динамических характеристик и повышения эффективности фотоэлектрических параметров, а также разработка технологии создания гетероструктурных фотодиодов на основе сульфида кадмия и кремния имеет важное значение.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, указанных в Указе Президента Республики Узбекистан ПФ-4947 от 7 февраля 2017 года «О стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлении Президента Республики Узбекистан ПК-№2772 от 13 февраля 2017 года «О приоритетных направлениях развития электронной промышленности 2017-2021 годах»и №ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью диссертационной работы является определение электронных процессов, характеризующих динамических и статических характеристик, а также механизмов переноса тока в инжекционных фотоприемниках на основе /?+CdS - /?CdS -pSi- и /?+CdS - nCdS - лЗнгетероструктур.
Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем: впервые разработана технология получения тонких пленок CdS на кремниевых подложках путем напыления порошков CdS в квазизамкнутой вакуумной системе и на их основе созданы гетероструктуры /CCdS - wCdS -/?Si и л*CdS - >?CdS - wSi, работающие в качестве инжекционных фотоприемников с внутренним усилением и перестраиваемым диапазоном спектральной чувствительности;
расположенные в широком спектральном диапазоне длин волн 389 -1238 nm в гетероструктуре п CdS - /?CdS - /?Si один высокий «пик» при длине волны 475 nm и три небольших «пик»а при длинах волн 618 nm, 740 nm и 821.8 nm подтверждает наличие различных примесных уровней;
экспериментально установлено, что в состоянии термодинамического равновесия на границе раздела wCdS - /^Si-гетероперехода при значениях поверхностного потенциала y/s = 0,04 eV образуются отрицательно заряженные поверхностные состояния акцепторного типа, при отрицательных значениях плотность поверхностных состояний (Vss) имеет высокие, а при положительных значениях низкие значения;
показано, что рост инжекции электронов из /?81-подложки в базу с увеличением напряжения прямого смещения, приводит к росту фототока и расширению диапазона спектральной чувствительности в сторону коротких длин волн;
найдены оптимальные технологические режимы формирования сильнолегированного тонкого п CdS-слоя и получения контакта на поверхности пленки ^CdS-плёнки путем вакуумного напыления индия на поверхности нагретых до 373 К ziCdS - pSi- и >?CdS - /zSi-гетероструктур с последующей термической обработкой при 673 К в течение 30 сек.
Заключение
На основе определения электронных процессов, характеризующих динамических и статических характеристик, а также механизмов переноса тока в инжекционных фотоприемниках на основе w+CdS - /?CdS - /?Si- и /TCdS -/?CdS - wSi-гетероструктур сделаны следующее выводы:
1. Определены технологические условия получения w+CdS - /?CdS - pSi-и w+CdS - /?CdS - wSi- гетероструктур путем напыления порошков CdS на кремниевые пластины в квазизамкнутой вакуумной системе.
2. Показано, что в условиях комнатной температуры zTCdS - /iCdS-переход, в прямом направлении смещения находится в режиме аккумуляции. При освещении белым светом с освещенностью Е = 0.1 lux, он имеет интегральную чувствительность Smt = 2,8-104 A/lm (ЗЮ6 A/W), а при освещении лазерным лучом с длиной волны X = 0,625 нм и мощностью Р = 10 pW/cm“, спектральную чувствительность S\ - 2.3-104 A/W.
3. Выявлено туннелирование дырок из кремния /9-типа (/^Si-подложка) в базу (/?CdS) через поверхностные состояния, имеющиеся на границе раздела и расположенные в нижней половине запрещенной зоны кремния в условиях прямого смещения гетероперехода /?Si - wCdS.
4. Показано, что /?Si - «CdS-гетеропереход при обратном смещении гетероструктуры /z'CdS - nCdS - /?Si является неидеальным инжектирующим контактом (для электронов), в то же время со стороны /iCdS-базы он является эффективным аккумулирующим контактом и не прозрачным для дырок, что обуславливает появление сублинейного участка ВАХ.
5. Установлено, что имеющаяся точка инверсии знака фоточувствительности /?+CdS - wCdS - pSi-гетероструктуры как в коротковолновой (2 = 350-5- 865 nm), так и в длинноволновой (2 = 865 -5- 1300 nm) областях спектра электромагнитного излучения, происходит за счет полной компенсации светового и темнового токов, направленных навстречу друг другу.
6. Показано, что при комнатной температуре обратная ветвь ВАХ /?+CdS - nCdS - /?Si-rerepocTpyKrypbi состоит из четырех участков и основным механизмом переноса тока на первом участке является термоэлектронная эмиссия, на втором участке диффузионный, на третьем участке направленный противоположно к дрейфовому току диффузионный, на четвертом участке диффузионно-дрейфовый механизмы.
7. Экспериментально выявлено, что при термодинамическом равновесии, на границе раздела wCdS - /^Si-гетероперехода при значениях поверхностного потенциала y/s = 0,04 eV образуются отрицательно заряженные поверхностные состояния акцепторного типа; при отрицательных значениях у/s плотность поверхностных состояний (Vss) имеет высокие, а при положительных значениях y/s низкие значения.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В современном мире в интенсивно развивающемся направлении возобновляемых источников энергии одной из важных проблем является повышение эффективности преобразования солнечной энергии, поиск новых материалов и более простых в изготовлении и дешевых конструкций, которые позволили бы повысить эффективность преобразования солнечного излучения. В этом аспекте расширение класса солнечных элементов основанных на новых физических принципах и механизмах функционирования является одной из важнейших задач.
В настоящее время разработка дополнительных механизмов повышения эффективности солнечных фотоэлементов имеет важное значение в преобразовании солнечной энергии. В этом аспекте привлечение новых механизмов формирования фототока, определение факторов обеспечивающих гарантированный срок службы и снижение себестоимости используемых материалов; определение граничных размеров нанокомпонент для проявления квантово размерных эффектов; выяснение условий самоорганизованного роста наноструктур на поверхности подложки; исследование механизма возникновения множества локальных гетеропереходов с наноструктурными компонентами; поиск механизмов расширения спектра поглощения солнечного излучения структуры с нанокомпонентами.
По Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан обращается особое внимание вопросам создания механизмов применения в практику достижений науки и инновации. В том числе определение возможностей управления электронными процессами, происходящими в нанокомпозитных структурах считается одим из важных задач. В год поддержки иновационных идей и технологий, активного предпринимателя поднятие на современный уровень полученных научных результатов достоин особого внимания. В нашей Республике внимание ученых обращено в большей степени исследованию комбинированных фотоэлектрических батарей, в которых наряду с преобразованием солнечной энергии предусматривается использование выделяемого тепла. В этом направлении ведутся работы по разработке новых конструкций фотоэнергетических установок, достигнуты определенные успехи в повышении коэффициента собирания носителей фотопреобразовательных структурах за счет введения нановключений в активную зону солнечного элемента.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан №-УП-4947 «О мерах по дальнейшей реализации Стратегии действий по развитиям Республики Узбекистан в 2017-2021 годах» от 7 февраля 2017 года и №-ПП-1442 «О приоритетных направлениях развития индустрии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2010 года и №-ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере
Целью исследования является разработка механизмов повышения эффективности и надежной работы кремниевых солнечных элементов с наноструктурными компонентами.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
определены характеристические свойства кремниевой подложки дающие возможность реализации предложенного механизма формирования контактной структуры с нанокомпонентами;
определены максимальные и минимальные размеры нанокомпонента, обусловленных энергетическими характеристиками контактирующих материалов;
определен механизм формирования гетероперехода, который включает в себя переход (наноразмерная халкогенидная точка - подложка), образующий одномерное иглообразное специфическое электростатическое поле обеспечивающее разделение фотовозбужденных электронно-дырочных пар;
на основе разработанной модели показано, что неконтролируемые частично компенсированные глубокие примеси, имеющиеся в кремниевой подложке, приводят к расширению спектра эффективного поглощения солнечного излучения в длинноволновую область.
Заключение
По результатам исследований, проведенных по теме: «Исследование механизмов повышения эффективности солнечных элементов с наноструктурными компонентами» представлены следующие выводы:
1. Получено аналитическое выражение для определения ширины области пространственного заряда в структуре «макроподложка-наночастица».
2. Показано, что глубина залегания приповерхностной области пространственного заряда имеет линейную зависимость от концентрации остаточных примесей в кремниевой подложке и диэлектрической проницаемости вещества наночастицы.
3. Исследованы преимущества длинной приповерхностной области пространственного заряда в процессе фотовольтаического преобразования и отличия её от классического р-n перехода. В частности, разделяющее поле новой контактной структуры начинается с поверхности подложки и простирается вглубь на несколько десятков микрон.
4. Показано, что в разработанной контактной структуре практически всё поглощение света и рождение электронно-дырочных пар происходит в области пространственного заряда, что приводит к моментальному их разделению и транспорту. Данный фактор снимает строгие требования к чистоте и кристалличности материала подложки, а также даёт возможность использовать в качестве подложки, материал, в котором носители имеют малое время жизни и соответственно малую длину свободного пробега.
5. На основе термодинамических представлений, в частности влияния тепловой энергии на «размытие» энергетический уровней, показана возможность определения максимального размера наночастиц, исходя из критерия сохранения квазидискретности их энергетических уровней. Также проведена численная оценка максимального размера наночастицы.
6. Предложен метод определения минимального размера наночастицы в модели бесконечно глубокой потенциальной ямы, из условия наличия хотя бы одного квазидискретного уровня в области разрыва между зоной проводимости подложки и последнего заполненного уровня наночастицы.
7. На основании теоремы Гаусса для электростатического поля, с использованием граничных условий, получены аналитические выражения для координатной зависимости вектора напряженности электростатического поля и для потенциала в области пространственного заряда новой контактной структуры. Графически представлены их специфическое координатное распределение.
8. Показана роль структурных дефектов и глубоких примесных центров кремниевой подложки в расширении спектра эффективного поглощения, за счёт примесного поглощения и уменьшения ширины запрещённой зоны. Что приводит к эффективному поглощению фотонов с энергией меньше энергии фундаментального поглощения кремния.
9. Проведён численный, сравнительный анализ солнечной панели из элементов на основе новой контактной структуры и панели из традиционных монокристаллических солнечных элементов.
10. Теоретически разработанная модель новой контактной структуры показывает возможность использования дешёвого, модернизированного технического кремния для создания солнечных элементов, имеющих коэффициент полезного действия сравнимый с аналогами из монокристаллического кремния.

Актуальность и востребованность темы диссертации. Сегодняшний интенсивный технический прогресс во всём мире требует создание новых технических средств, которые могут быстро передавать, хранить и обрабатывать большие объемы информации. Для удовлетворения этих потребностей необходимо создать новое поколение приборов, принцип работы которых должен принципиально отличается от существующих. В новой отрасли микроэлектроники, известной как «спинтроника» для передачи, переработки и хранения информации наряду с зарядом электрона используется его спин. В качестве активной материальной базы спинтроники необходимо использовать материалы имеющие одновременно как с полупроводниковые так и ферромагнитные свойства. На сегодняшний день синтезировано множество разбавленных магнитных полупроводников (РМП) и полупроводниковых соединений с такими свойствами, которые успешно используются в различных электронных устройствах.
В настоящее время во всем мире одним из актуальных вопросов является получение ферромагнитного кремния из немагнитного путём имплантации магнитных ионов. Основными причинами этого являются, низкая стоимость кремния по сравнению с другими магнитными полупроводниками, достигшее своего совершенствования технология получения и превосходная планарная технология создания интегральных приборов. В связи с этим одной из важнейших задач полупроводникового материаловедения является формирование ферромагнитных свойств в кремнии путем легирования его магнитными примесями, изучение магнитных и магнитотранспортных свойств.
В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, наиболее важным является обратить особое внимание на разработку эффективных механизмов внедрения достижений научных исследований. В частности, особое внимание выделяется на создание технологии получения новых магнитных полупроводников, исследование электрофизических, фотоэлектриктрических, магнитных и магнитотранспортных а также оптических свойств и применения их на практике. В год поддержки иновационных идей и технологий, активного предпринимателя поднятие на современный уровень полученных научных результатов. В частности, повышение конкурентоспособности и эффективности изделий микроэлектронной промышленности созданием дешевых, экономичных и принципиально отличающихся от существующих технологий, на основе физических явлений наблюдаемых в магнитных полупроводниковых материалах.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан №-УП-4947 «О мерах по дальнейшей реализации Стратегии действий по развитиям Республики Узбекистан в 2017-2021 годах» от 7 февраля 2017 года и в Постановлении Президента Республики Узбекистан ПК-№2772 от 13 февраля 2017 года «О приоритетных направлениях развития электронной промышленности 2017-2021 годах» а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Цель исследования является создания ферромагнитного состояния в сильно компенсированном монокристаллическом кремнии, легированного ионами марганца методом ионной имплантации, исследование обменного взаимодействия высокоспиновых магнитных нанокластеров и выявление их влияния на транспорт тока.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
впервые, показана возможность получения на основе кремния сильнокомпенсированного кремния с нанокластерми марганца обладающего ферромагнитными свойствами при ионной имплантации марганца;
обнаружено образование высокоспиновых магнитных нанокластеров в сильнокомпенсированных образцах Si<B,Mn> при ионном легировании кремния марганцем;
обнаружено появление ферромагнетизма в сильнокомпенсированных образцах Si<B,Mn> при комнатной температуре;
впервые, обнаружено положительное магнитосопротивление, его кинетика и гистерезис связанного с магнитными нанокластерами марганца в сильнокомпенсированных образцах Si<B,Mn>;
по результатам исследование ВАХ и ЛАХ сильнокомпенсированных образцов Si<B,Mn> при температурах 80 и 300 К, определена существенная разница этих характеристик связанных с нанокластерами содержащих ионы марганца по сравнению образцами полученных высокотемпературной диффузией;
предложена модель внутрикластерного и межкластерного обменного взаимодействия приводимая к ферромагнетизму в сильнокомпенсированных образцах Si<B,Mn>.
Заключение
На основе проведённых исследований по изучению магнитных, магнитотранспортных, фотоэлектрических и электрофизических свойств сильнокомпенсированных образцов Si<B,Mn> можно сделать следующие выводы:
1. Впервые показана возможность получения ферромагнитных образцов сильнокомпенсированного кремния с примесью марганца с помощью метода ионной имплантации.
2. По исследованиям структуры нанокластеров в монокристаллах кремния установлено, что их размеры составляет порядка 5-20 нм и в основном содержит ионы Мп2+ и Мп4+, а причиной высокоспинового состояния в них является внутрикластерное косвенное обменное взаимодействия между ионами Мп2+ и Мп4+.
3. В образцах Si<B,Mn>, полученных методом ионной имплантации наблюдается положительное магнитосопротивление достигающие более чем 25 % при комнатной температуре. Кроме этого, при 300 К и при слабых магнитных полях наблюдается кинетика положительного магнитосопротивления. Причиной этому является спинзависимое рассеяние носителей заряда от высокоспиновых магнитных нанокластеров марганца. Наблюдаемая временная кинетика положительного магнитосопротивления указывает на существования конкуренцию между тепловым разупорядочением и упорядочением внешним магнитным полем, ориентацию магнитных моментов высокоспиновых магнитных нанокластеров марганца.
4. Впервые показано влияние высокоспиновых нанокластеров состоящих из ионов Мп на транспорта тока в сильнокомпенсированных образцов Si<B,Mn>.
5. Впервые установлено существование ферромагнитной фазы в сильнокомпенсированных образцах Si<B,Mn> при 300 К.
6. Показано, что в сильнокомпенсированных образцах Si<B,Mn> полученного методом ионной имплантации, образуется высокоспиновые магнитные нанокластеры типа Mn2+, Мп4+ связанные между собой косвенным обменным взаимодействием и эти нанокластеры является ответственными за ферромагнитное состояние в исследованных образцах.
7. На основе результатов исследований показано, что при легировании кремния атомами элементов переходной группы железа до высокой степени компенсации могут привести его в ферромагнитную фазу и это указывает на возможность применения сильнокомпенсированных образцов Si<B,Mn> в качестве активной элементной базы спиновых транзисторов и других дискретных элементов спинтроники.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире ведущую роль играют исследования, направленные на сокращение расхода энергоресурсов при производстве, передаче и распределении электроэнергии. Уплотнение графика нагрузки улучшает технико-экономические показатели производства электроэнергии и дает возможность обеспечения новых потребителей электроэнергией без строительства дополнительных электростанций. «В развитых странах признано, что мероприятия по выравниванию графиков нагрузок в условиях максимальной нагрузки требуют в 3 раза меньше затрат, чем ввод в эксплуатацию новых станций»1. В этом отношении исследования, направленные на повышение энергоэффективности посредством оптимального управления графиками нагрузок регулируемых электропотребителей при планировании краткосрочных режимов энергосистем, имеют важное значение.
В мире особое внимание уделяется разработке математических моделей и алгоритмов решения задач определения рациональных электрических нагрузок потребителей для обеспечения оптимальных режимов работ самих электроэнергетических систем. В этом направлении, в частности, уделяется особое внимание научно-исследовательским работам, нацеленным на разработку алгоритмов планирования краткосрочных режимов энергосистем с учетом оптимального управления нагрузок электропотребителей, оптимизацию при этом потоков мощностей между системами, входящими в межгосударственные энергобъединения, учету электростанций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов и сетевого фактора.
В настоящее время в нашей республике особое внимание обращается на качественное развитие энергетической отрасли и повышение техникотехнологического уровня отрасли на основе современных требований. В этом направлении, в частности, ведутся работы по разработке необходимых алгоритмов расчета для планирования краткосрочных режимов энергосистем, эффективных по экономичности, надежности и качеству. Вместе с тем одной из важных задач является ведение научно-исследовательских работ, направленных на создание алгоритмов уменьшения расходов топлива за счет оптимизации нагрузок регулируемых потребителей при планировании краткосрочных режимов энергосистем. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 годы предусмотрено «...сокращение энергоемкости и ресурсоемкое™ экономики, широкое внедрение в производство энергосберегающих технологий, расширение использования возобновляемых источников энергии, повышение производительности труда в отраслях экономики...»2. Одной из актуальных проблем в выполнении этих задач является разработка эффективных алгоритмов оптимизации нагрузок потребителей и потоков мощностей между системами в межгосударственных энергообъединениях, учету при этом станций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов и сетевого фактора.
Данное диссертационное исследование служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлениях Президента Республики Узбекистан №ПП-2343 от 5 мая 2015 года «О Программе мер по сокращению энергоемкости, внедрению энергосберегающих технологий в отраслях экономики и социальной сфере на 2015-2019 годы» и №ПП-3012 от 26 мая 2017 года «О программе мер по дальнейшему развитию возобновляемой энергетики, повышению энергоэффективности в отраслях экономики и социальной сфере на 2017-2021 годы», а также в других нормативноправовых документах, принятых в данной области.
Цель исследования заключается в разработке математической модели и алгоритмов решения задач оптимального планирования краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей и учетом режимных и технологических ограничений.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
разработана математическая модель задачи оптимизации нагрузок электропотребителей при планировании краткосрочных режимов энергосистем;
разработан алгоритм оптимального планирования краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей и учетом режимных и технологических ограничений;
создан алгоритм учета электростанций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов при оптимальном планировании краткосрочных режимов энергосистем;
разработан алгоритм учета сетевого фактора при оптимальном управлении нагрузкой электропотребителей.
Заключение
Обобщая результаты исследований, относящиеся к данной диссертации, можно сделать следующие выводы:
1. На основе исследования существующих положений разработана математическая модель задачи оптимизации нагрузок регулируемых электропотребителей при оптимальном планировании краткосрочных режимов энергосистем. В результате создана возможность математического описания задачи оптимального режима энергосистемы в условиях управления нагрузкой электропотребителей с высокой точностью.
2. На основе градиентного метода оптимизации разработаны алгоритм и программа оптимального планирования краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей. В результате создана возможность определения оптимальных нагрузок расчетных электростанций и регулируемых электропотребителей с учетом режимных и технологических ограничений и обеспечения на их основе эффективных режимов работ энергосистем в допустимой области.
3. Разработан алгоритм оптимизации перетоков мощностей по мсжсистсмным линиям электропередачи при планировании краткосрочных режимов энергосистем, входящих в межгосударственные энергообъединения. В результате создана возможность определения оптимальных потоков мощностей по межсистемным линиям, выгодных для обеих энергосистем.
4. Созданы математическая модель задачи и алгоритм учета электростанций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов. Результаты дали возможность определения и обеспечения экономичных режимов работ энергосистем, содержащих станции с ограниченным запасом первичных энергоресурсов.
5. Предложен алгоритм оптимизации режимов энергосистем с учетом простых и функциональных ограничений в виде неравенств в условиях вероятностного характера исходной узловой информации. В результате создана возможность оптимизации с высокой точностью краткосрочных режимов энергосистем с учетом ограничений в виде неравенств в условиях вероятностного характера нагрузок электропотребителей.
6. На основе усовершенствования существующих алгоритмов разработаны эффективный алгоритм и программа учета сетевого фактора при оптимальном планировании краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей, основанные на перестройку зависимостей относительных приростов потерь от мощностей узлов с расчетными станциями и регулируемыми электропотребителями. В результате создана возможность определения оптимальных краткосрочных режимов энергосистем с учетом сетевого фактора в условиях управления нагрузкой электропотребителей.
7. Результаты исследования внедрены в Национальном диспетчерском центре АО «Узбекэнерго» для оптимального планирования суточных режимов энергосистем с управлением нагрузкой регулируемых электропотребителей. В результате научных исследований создана возможность сбережения 63,6 тонн условного топлива за сутки.
Общий экономический эффект от внедрения математической модели и алгоритма решения задачи оптимального управления нагрузками регулируемых электропотребителей составил 146 млн. сумов за квартал.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время в области физики полупроводников одними из перспективных направлений является исследование и разработка способов управления магнитными свойствами полупроводниковых материалов и получение на их основе больших интегральных схем, элементов с магнитными свойствами, сенсоров с магнитными сопротивлениями, магнитных датчиков нового типа, фотомагнитных приборов, а также их совершенствованию. В этом аспекте создание и исследование магнитных нанокластеров в кристаллической решетке кремния, без существенного нарушения его кристаллической решетки и фазового состава, управление их магнитными свойствами является одним из важных задач наноэлектроники и промышленной электроники.
На сегодняшний день в мире уделяется большое внимание созданию нанокластеров с магнитными свойствами в сплавах и гетероструктурах с помощью ионной имплантации, радиационного излучения эпитаксиального наращивания, а также химическими способами. В сфере реализации целевых научных исследований, в том числе научных изысканий, одним из важнейших задач являются: разработка способа получения магнитного наноструктурного материала за счет формирования магнитных нанокластеров атомов марганца в решетке кремния с помощью низкотемпературного поэтапного диффузионного легирования; определение структуры, размера и магнитного момента нанокластера, а также магнитной восприимчивости и намагниченности кремния, содержащего такие нанокластеры; управление магнитными свойствами кремния с магнитными нанокластерами в зависимости от их концентрации и электрофизических параметров в широким интервале температур при различных внешних воздействиях; определение ферромагнитного перехода кремния в низкотемпературной области.
В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан особое внимание уделяется вопросам стимулирования научно-исследовательской и инновационной деятельности, созданию эффективных механизмов прикладного применения достижений научно-инновационной деятельности. В годы поддержки активного предпринимательства, инновационных идей и технологий, нацеленых на получение научных результатов, отвечающих современным требованиям, на научное развитие обращается особое внимание. В этом аспекте были созданы новые виды полупроводниковых приборов, датчиков освещения, давления и влажности, высоковольтные и частотные диоды, детекторы на основе новых методов образования наноструктур на поверхности полупроводниковых материалов, новые методы легирования кремния редкоземельными элементами (гадолиний, европий, гольмий и самарий), имеющими большую растворимость. Одной из актуальных проблем сегодняшнего дня является формирование нанокластеров с магнитными особенностями с управляемыми электрофизическими параметрами по всему объему материала и за счет их управление магнитными свойствами материалов.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента: № УП-4947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» от 7 февраля 2017 года и в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах по дальнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017 - 2021 гг.» от 13 февраля 2017 года и № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является управление магнитными свойствами кремния с магнитными нанокластерами в зависимости от их концентрации и электрических параметров в широким интервале температур при различных внешних воздействиях.
Научная новизна исследования заключается в следующем: оптимитизирован низкотемпературный поэтапный способ диффузионной техологии, позволяющий формировать нанокластеры атомов марганца с магнитными свойствами по всему объему решетки кремния с управляемыми распределением и параметрами;
предложен способ повышения термостабильности параметров кремния, легированного атомами марганца при высоких температурах за счет формирования нанокластеров атомов марганца;
установлено высокое отрицательное магнитосопротивление в кремнии при комнатной температуре за счет увеличения концентрации магнитных нанокластеров атомов марганца до 1015см ,
определено линейное увеличение отрицательного магнитосопротивления в кремнии с магнитными нанокластерами атомов марганца с ростом индукции магнитного поля;
определен эффект погашения отрицательного магнитосопротивления до 100- кратного значения за счет уменьшения кратности зарядового состояния нанокластеров, имеющей мощный магнитный момент и заряд при воздействии интегрального и инфракрасного освещения.
определен переход в ферромагнитное состояние кремния при низких температурах 30 К за счет упорядочения ориентации спинов магнитных нанокластеров (Мп)4, обладающих магнитным моментом;
произведен расчет магнитного момента нанокластеров атомов марганца с использованием значения намагниченности кремния (Хмп), определенного из экспериментальных результатов в области низких температур (Г=10 К);
определено линейное уменьшение намагниченности кремния с повышением температуры за счет разупорядочения спинов нанокластеров с повышением (кТ) энергии;
показана возможность управления величиной отрицательного магнитосопротивления до 6 раз при 240 К в широкой области напряженного электрического 0,1 600 В/см и магнитного 0,2 - 2 Тл полей.
Заключение
На основе проведенных исследований управления магнитными свойствами кремния с магнитными нанокластерами в зависимости от их концентрации и электрических параметров в широком интервале температур, при различных внешних воздействиях сделаны следующие выводы:
1. Определен оптимальный способ получения кремния с магнитными нанокластерами, как материала наноэлектроники и спинтроники с наноразмерными структурами, обладающего новыми уникальными физическими свойствами.
2. Установлены размеры магнитных нанокластеров атомов марганца в кристаллической решетке кремния и показана возможность изменения этих размеров от 0,7 нм до 1,4 нм.
3. В кремнии с магнитными нанокластерами атомов марганца, при концентрации нанокластеров 1015 см'3 и при комнатной температуре обнаружено высокое отрицательное магнитосопротивление 300 %.
4. Показана возможность управления величиной отрицательного магнитосопротивления до 100 раз с изменением интенсивности интегрального света (0^20 Лк).
5. Установлена зависимость отрицательного магнитосопротивления от длины волны инфракрасного света, температуры и напряжённости электрического поля.
6. Обнаружено ферромагнитное состояние в кремнии с концентрацией нанокластеров марганца более 2-1014 см'3 в области низких температур (Г<30 К).
7. Определены области существования отрицательного магнитосопротивления в зависимости от положения уровня Ферми в пределах 12СН370 К температур.
8. Предложен физический механизм эффекта высокотемпературного отрицательного магнитосопротивления в кремнии с магнитными нанокластерами, обусловленный участием в проводимости локализованных носителей заряда при воздействии внешнего электрического и магнитного полей.
9. Обнаружено максимальное значение отрицательного магнитосопротивления 35 % в перекомпенсированном кремнии п- типа, легированного марганцем Si<B,Mn> в области 120^-190 К температур.
10. На основе кремния с магнитными нанокластерами атомов марганца Показана возможность создания высокочувствительных магнитных, фотомагнитных, температурных и многофункциональных датчиков, работающих в интервале температур от 200 до 360 К.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время теоретическое исследование динамической проблемы неравновесных квантовых систем, является одной из фундаментальных задач современной теоретической и экспериментальной физики. Явления флуктуации и диссипации неравновесных квантовых систем обычно исследуются в рамках стандартной техники теории квантовых марковских процессов. Известно, что отклик реальных физических, технических и биологических систем на внешнее случайное воздействие, является немарковским процессом и эффект немарковости возрастает с ростом сложности системы. Следовательно, такие системы не могут быть описаны посредством стандартных методов, разработанных на основе марковских процессов. В связи с этим, актуальной становится разработка математических методов описания немарковских случайных процессов.
В нашей Республике большое внимание уделяется развитию теоретической физики и проведению фундаментальных исследований по этим направлениям на мировом уровне. В этом плане удалось достичь значимых результатов, в частности: в решении теоретических задач неравновесных квантовых систем и их практическом применении, разработке методов аналитического определения и расчета нестационарных коэффициентов переноса, теоретическом исследовании ядерной реакции с тяжелыми ионами, влияние внешних полей на свойства открытых квантовых систем и неравновесные процессы.
В соответствии со «Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 гг.», является наиболее важным, повышение эффективности отрасли физики неравновесной системы и нанотехнологии на основе теоретических и практических исследований в области неравновесных квантовых систем и диссипативных неравновесных квантовых процессов за счет внедрения инновационных технологий.
В настоящее время получены новые экспериментальные данные по подбарьерному слиянию ядер в столкновениях тяжелых ионов низких энергий, туннельные переходы с диссипацией в кристаллах, по эффектам, связанным с сильным, слабым и сверхслабым воздействием магнитных полей различной природы на разнообразные сложные физические и биологические объекты, обнаруживают новые тенденции, которые не могут быть объяснены в рамках существующих традиционных подходов и моделей. Теоретическое объяснение большого числа подобных эффектов является актуальной задачей современной теоретической физики. Учет немарковских эффектов в туннельных переходах является не полностью решенной проблемой неравновесной квантовой системы, поэтому решение проблемы о квантовом туннельном переходе с диссипацией может оказаться важным при исследовании ядерных, атомных низкоразмерных и низкотемпературных мезоскопических систем.
Разработка метода определения, зависящего от времени коэффициентов переноса и ширин распада метастабильных состояний необходима при описании и объяснении экспериментальных данных по ядерным реакциям полного слияния, квазиделения, деления и захвата ядра ядром. Кроме этого, теоретические данные о туннельном переходе с диссипацией крайне необходимы для транспорта электронов в квантовых точках и ямах, а также для решения одной из важных проблем ядерной астрофизики - слияния ядер в сверхплотных астрономических объектах.
Данная научно-исследовательская работа соответствует задачам, предусмотренным в Указе Президента Республики Узбекистан № УП—4958 «О дальнейшем совершенствовании системы послевузовского образования» от 16 февраля 2017 года, в Постановлениях Президента Республики Узбекистан № ПП-1442 «О приоритетах развития промышленности Республики Узбекистан в 2011-2015 годах» от 15 декабря 2010 года, № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативноправовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является разработка формализма для описания марковской и немарковской динамики квантовых систем.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
получена и аналитически решена система нелинейных квантовых стохастических уравнений в пределе полной связи между гармоническим осциллятором и квантовым термостатом в приближении вращающейся волны;
разработана методика получения зависящих от времени коэффициентов переноса и получены аналитические формулы для вычисления квантовых флуктуаций в неравновесных квантовых системах;
выведено из обобщенного немарковского стохастического уравнения марковское квантовое уравнение для матрицы плотности и получены квантовые флуктуационно-диссипативные (ФД) соотношения;
получена и аналитически решена система нелинейных стохастических уравнений с учетом внешнего магнитного поля;
вычислены значения нестационарных коэффициентов трения и диффузии для двумерного заряженного квантового гармонического осциллятора в однородном магнитном поле;
получены аналитические выражения для асимптотики коэффициентов переноса и корреляционных функций для двумерного заряженного осциллятора;
предсказан степенной закон распада корреляционных функций осциллятора с полной связью в пределе низких температур и больших времен;
установлена роль квантовых и немарковских эффектов в реакциях с тяжелыми ионами.
Заключение
По результатам исследований, проведенных по теме докторской диссертации «Марковская и немарковская динамика квантовых и мезоскопических открытых систем», представлены следующие выводы.
1. Установлен подходящий квантовый Гамильтониан неравновесной системы. Из квантового Гамильтониана получена система немарковских квантовых стохастических уравнений и найдены их аналитические решения.
2. На основе аналитических решений системы стохастических уравнений выведены квантовые марковские уравнения для матрицы плотности с коэффициентами переноса, зависящими явно от времени.
3. Впервые доказана правильность использования при низких температурах квантового флуктуационно-диссипативного соотношения вместо феноменологического соотношения. Исследованы асимптотики коэффициентов переноса в случаях полной (ПС) связи между осциллятором и термостатом в приближении вращающейся волны (ПВВ).
4. Получены системы нелинейных стохастических квантовых уравнений для двухуровневых диссипативных систем и найдены их аналитические решения.
5. Показано, что скорость распада из потенциальной ямы слабо зависит от не стационарности коэффициентов переноса. Коэффициент диффузии по координате-импульсу Dqp приводит к уменьшению скорости распада. В случае слабого затухания или малых температур квазистационарная скорость распада может увеличиться с ростом трения.
6. Для сечений захвата в реакциях 16О, I9F, 26Mg, 28Si, 32;34;3*38s, 40;48Ca, Ti + Pb получено хорошее согласие между теоретическими расчетами и имеющимися экспериментальными данными. Это дает основание для дальнейшего использования предложенного метода расчета сечения захвата.
7. Выявлено, что для тяжелых ядерных систем приҒст > Vb, Ecm>Vb зависимость (TcapEcm/^R^flCOh^cEcm/^Eb^b) от (Ecm-Vb)Afia>b) acEcm/(nRlha>b') имеет универсальную природу. Используя эту зависимость и рассчитывая параметров барьера (Rb, Vb, и йсо*) можно предсказать зависимость сечения захвата ос от энергии столкновения Ест.
8. Показано микроскопическое обоснование эмпирической формулы Вонга для вычисления сечения захвата.
9. Были получены явные выражения зависящих от времени коэффициентов трения и диффузии для двумерного заряженного квантового гармонического осциллятора в однородном магнитном поле. Рассмотрена линейная связь по координате с нейтральным бозонным термостатом. Данный формализм действителен в произвольных силах связи и, следовательно, при произвольных температурах.
10. Показано, что трение в случае бозонного термостата, уменьшается при присутствии осевого магнитного поля, приводя к уменьшению затухания энергии системы. Влияние магнитного поля на динамику системы представляется более явным в случае низкой температуры, при которой магнитные взаимодействия могут использоваться для получения сжатой
динамики волнового пакета при определенных условиях.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мировой лингвистике в центре внимания ученых находится изучение фонопоэтических особенностей художественной речи. Поскольку язык - это не только средство связи, используемое в человеческом обществе, но еще и мощный инструмент, позволяющий людям передавать их знания об окружающем мире последующим поколениям, и вызывающий у слушателя определенное эмоционально-эстетическое переживание. В процессе речи на человека можно оказывать различные воздействия. Идея, мысль, эмоции, выраженные через посредство речи формируются на основе определенного соединения звуков.
Освещение фонопоэтических особенностей с художественноэстетической точки зрения еще ожидает своего монографического исследования. В художественной речи наряду с исследованием лексикосемантических и грамматических средств важную задачу на современном этапе составляют изучение и анализ таких фонетических единств как чередований звуков, ударения, интонации, паузы
В мировой лингвистике исследования, посвященные общим вопросам лингвопоэтики, лексической поэтики, поэтики текста, а также фонетической стилистики и фоносемантики нашли свое отражение в ряде работ. В ряде работ, посвященных символизму звуков, аллитерации, геминации, рифме выражены научные взгляды лингвистов. И все же в лингвопоэтике, а конкретнее в фонопоэтике ментальные и акустико-артикуляционные свойства языков в корне отличаются друг от друга. За основу этого можно принять наличие таких дифференциальных признаков как фонетическая структура, ударение, темп речи, тон звука, тембр в таких языках как арабский, китайский, немецкий, английский и другие.
В последнее время наряду с изучением внутренних структурных единств узбекского языка с коммуникативной точки зрения, стали изучаться также их эмоционально-экспрессивные функции и коннотативные, прагматические значения, что в совокупности сыграло существенную роль в деле освещения богатства и многогранности данного языка. Эмоционально-экспрессивные задачи языковых единств реализуются в пределах художественных произведений. В процессе их изучения, сформировалась филологическая дисциплина - лингвопоэтика, занимающаяся исследованием эмоциональноэкспрессивных задач языка художественного произведения. Однако поэтические возможности фонетических единств в узбекском языке еще не изучены. К тому же фонопоэтический анализ узбекской поэзии, представляющей собой часть нашей духовности и национальной культуры, показывает важность исследования рассматриваемой темы для современной узбекской лингвистики. «Кроме того, в Ташкенте на территории Национального парка созданы Аллея литераторов, новое здание Союз а писателей, в Каракалпакстане и ряде областей - творческие школы, носящие имена наших выдающихся писателей и поэтов»1. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан данные задачи отмечены в качестве приоритетных направлений развития социальной сферы, в рамках развития сферы науки, литературы и искусств2.
Лингвопоэтика вбирает в себя поэтические особенности всех структурных единиц языка. И потому, исходя из объекта изучения данной сферы науки, она включает в себя фонопоэтику, морфопоэтику, лексическую поэтику, синтаксическую поэтику и даже деривопоэтику (занимающуюся изучением словообразования).
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит реализации задач, поставленных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП-4749 от 13 мая 2016 года «Об организации Ташкентского государственного университета узбекского языка и литературы имени Алишера Навои», в Указе Президента Республики Узбекистан № УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», в Указе Президента Республики Узбекистан от 25 августа 2006 года «О повышении эффективности пропаганды национальной идеи и духовно-просветительской работы», в Указе Президента, УП-1271, от 27 января 2010 года «О государственной программе «Год гармонично развитого поколения», в Указе Президента Республики Узбекистан от 12 января 2017 года «О создании комиссии по развитию системы издания и распространения книжной продукции, повышению и пропаганде культуры чтения», в Указе Президента Республики Узбекистан У П-2909 от 20 апреля 2017 года «О мерах по дальнейшему совершенствованию системы высшего образования» а также ив других нормативно-правовых актах, касающихся данной сферы деятельности.
Цель исследования заключается в том, чтобы классифицировать фонопоэтические средства узбекского языка, выявить теоретические основы фонопоэтических средств через посредство анализа поэтического текста, а также определить эмоциональные функции рассматриваемых средств.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
обоснованы значение фонопоэтические средства узбекской поэтической речи, такие как геминация, ономатопея, анаграмма, фонетический повтор;
определена методологическая роль герменевтики в понимании и разъяснении поэтической речи, а также указаны эмоциональноэкспрессивные задачи фонетических единств - гласных и согласных звуков -в построении поэтического текста;
выяснены поэтические, прагматические и семантические функции звуков в художественной речи и их значение в повышении коннотативности;
обоснованы фонопоэтические факторы выявления поэтического выражения посредством фонетических единств в системе узбекского стихосложения;
доказаны значение хижо и рукна в усилении художественной силы стихотворения, а также то, что роль ритма и рифмы в обеспечении музыкальности стиха определяется созвучностью.
Заключение
1. Восприятие в структурной лингвистике языковой деятельности как единства, возникшего из отношения язык-речь, а также концентрированность основного внимания исследователей на системе языка, оказалось несколько несостоятельным при освещении колоритных граней речевого процесса.
В связи с этим из недр структурного литературоведения выросло когнитивное языкознание, которое направило внимание исследователей больше на дискурсивные проблемы, оставшиеся за пределами структурного языкознания. Несомненно, «душой» языка является дискурс. В нем проявляются и социальная, и кумулятивная, и эмоционально-экспрессивная, и аксиональная функции языка.
2. Экспрессивно-эмоциональная функция художественной речи чаще выражается при помощи фонетических средств, при помощи интонации. Фонетические средства считаются основным релевантным знаком художественного дискурса, средством создания красоты речи. А значит, объектом серьезных исследований должна стать не только лексическая поэтика, привлекавшая до сих пор основное внимание исследователей, но и другие части лингвопоэтики, изучающей эмоционально-эстетическую задачу определенного языка, такие как фонопоэтика, морфопоэтика и синтаксическая поэтика.
3. Существуют специальные экспрессемы, обеспечивающие эмоциональную экспрессивность. К ним относятся такие средства как тонема, интонема, силлабема, созвучие.
4. Данные средства в составе речи выполняют самые различие задачи. В частности,
а) передают эмоциональное состояние говорящего (радость, гнев, грубость и другие); б) служат для различения вида (повествовательное,вопросительное, восклицательное) предложения в зависимости от цели высказывания (Пришел. Пришел? Пришел!); в) выражает семантическую градацию вещи-явления, знака-свойства, действия-состояния, (катта-ка:тта (большо-ой), узун-узу:н (дли-иный), кетди-ке:тди (ушё-ёл); г) выполняет художественно-эстетическую задачу (рифма, ритм и т.д).
5. Фонопоэтические средства так же, как и другие поэтические средства, считаются важными элементами, демонстрирующими уникальные особенности каждого языка, обеспечивающими красоту речи.
6. Понимание и толкование поэтической речи определяется уровнем филологической подготовленности комментатора. В изучении текста герменевтика служит также и для освещения функций фонетических единств: 1) дистинктивную (смыслоразличительную) функцию. 2) экспрессивную функцию: красочное выражение и создание художественной выразительности. Тот факт, что такое толкование, комментарий текста (поэтической речи), опирается на философский анализ лингвистики, на теорию герменевтики, показывает важность герменевтики для языкознания. Так проявляются взаимодополняющие, взаимообогащающие стороны психологии (а именно запас знаний в сознании человека и их применение), философии (комментирование и анализ путем мышления) и языкознания, доказывается важность значения и места герменевтики.
7. Поэтическая речь отличается от других форм речи сильной степенью экспрессивности. Требуется изучить лингвопоэтику, разделяя ее на уровни широкого плана. Поскольку каждый уровень обладает своими уникальными возможностями художественного выражения. Мы постарались осветить поэтические особенности и эстетические задачи фонетических единств: 1) звуки играют важную роль в повышении экспрессивности; 2) стиль, в котором передается отношение личности (адресанта) к слушателю (адресату) в первую очередь связан с интонацией, через нее выражается радостное, печальное, гневное (и др.) субъективное отношение к слушателю. 3) прояснить отношение говорящего помогают пауза, ударение и удвоение звуков, их выделение, повторение, употребление в сильной и слабой позициях. 4) также и звук в поэтической ситуации, в определенном контексте или в процессе общения способен разъяснить мысль и даже целую идею.
8. По причине того, что система аруза строится на основе созвучия и соответствия полных звуков, открытости и закрытости слогов (и их влияния на хижо), аруз считается самым важным источником исследования для фонопоэтики.
9. Опорный звук в составе рифмы является самым важным, ведущим элементом. Рифма - это явление, связанное с языком, с его фонетическими законами, особенностями произношения. Однако эти законы находятся в постоянном движении, что еще больше расширяет возможности рифмы, приводит к ее качественному обновлению, преодолению монотонности.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мировой практике в интенсивно развивающейся области физики полупроводников особое внимание уделяется разработке фотоприемных структур, отличающихся высокой чувствительностью в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. В этом плане одной из основных задач является поиск новых полупроводниковых материалов, создание на их основе современных высокоэффективных приборов, таких как фотоэлементы и фотоприемники, создание широкодоступной технологии получения полупроводниковых фоточувстви-тельных структур на основе соединений А2В6.
На сегодняшний день в мире большое внимание уделяется изучению электронных и инжекционных процессов в фотоприемных структурах, в том числе на основе пленок /?-CdTe. В этом аспекте важной задачей является проведение целевых исследований в ниже приведенных направлениях: получение сильнокомпенсированных высокоомных пленок CdTe со столбчатой структурой зерен и на их основе создание металл-окисел-полупроводник (МОП)-структуры; исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств МОП-структур А1 - А12О3 - р-CdTc - МоО3 - Мо и возможности их использования в качестве инжекционного фотоприемника; изучение влияния ультразвукового облучения (УЗО) на электрофизические свойства фотоприемных структур; поиск путей обеспечения работоспособности полупроводниковых фотоприемных структур при комнатной температуре.
В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан наиболее важном обратить особое внимание на разработку эффективных механизмов внедрения достижений научных исследований и на этой основе обеспечить конкурентоспособность национальных товаров на внутреннем и внешнем рынке. В частности, основное внимание уделяется вопросам импортозамещения в области элементов полупроводниковой электроники. Особо следует отметить, что данная деятельность осуществляется в рамках объявленного «Года поддержки активного предпринимательства, инновационных идей и технологий», направленных на получение научных результатов, отвечающих современным требованиям научного развития.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, указанных в Указе Президента Республики Узбекистан ПФ-4947 от 7 февраля 2017 года «О стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлении Президента Республики Узбекистан ПК-№2772 от 13 февраля 2017 года «О приоритетных направле-нииях развития электронной промышленности 2017-2021 годах» и №ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью диссертационной работы является создание инжекционного фотоприемника с внутренним усилением на основе пленок р-CdTe со столбчатой структурой зерен и определение электронных процессов происходящих в нем.
Научная новизна исследования заключаются в следующем:
установлено, что механизм токопереноса в Al - Al2O3-p-CdTe - МоО3 -Mo-структуре определяется свойственным МДП -структурам ТОПЗ механизмом, состоящим из четырех участков. Первый участок линейный, второй участок квадратичный, связанный с заполнением глубоких ловушек, третий участок резкого роста тока, обусловленный задержкой электронов двухуровневыми комплексами при рекомбинационных процессах, и переходящий на квадратичную зависимость за счет заполнения мелких ловушек.
экспериментально показано, что уменьшение толщины базовой области приводит к увеличению фоточувстывительности в собственной области поглощения за счет сниженя количества примесей, участвующих в генерации фотоносителей в примесной области спектра;
показано, что ультразвуковое воздействие способствует упорядочению дефектов, приводя к увеличению поверхностного потенциала от i//s~ 0.17 eV до i//s~ 0.25 eV; в результате прямой ток возрастает, а обратный ток уменьшается.
выявлено, что в структуре А1 - АЬО3 - р-CdTe - МоО3 - Мо усиление первичного фототока имеет большее значение при малой интенсивности освещения и в режиме прямого смещения.
Практические результаты исследования заключаются в следующем:
изготовленный инжекционный фотоприемник с внутренным усилением на основе МОП-структуры в виде А1-АЬО3 - p-CdTc - МоО3 - Мо может быть использован для приема оптических сигналов в диапазоне спектра (2 = 400 + ЮОО нм);
экспериментальные результаты, полученные в диссертационной работе, могут служить основой для создания устройств, регистрирующих слабые интенсивности освещения в видимой области спектра.
Заключение
По результатам создания инжекционного фотоприемника с внутренним усилением на основе пленок /?-CdTc со столбчатой структурой зерен и исследования происходящих в нем электронных процессов сделаны следующее выводы:
1. Изготовлен широкополосный (2 = 400 ч- 1000 нм) фотоприемник с внутренним усилением на основе пленок p-CdTe со столбчатой структурой зерен, предназначенный для регистрации световых сигналов в области длин волн Л = 450 + 750 нм, их усиление происходит за счет реализации механизмов усилений - положительной обратной связи (ПОС) и параметрического усиления (ПУ).
2. Выявлено, что прямая ветвь вольтамперной характеристики структуры состоит в основном из четырех степенных участков. В частности, при малых плотностях тока в рекомбинационных процессах участвуют точечные дефекты, а при больших плотностях тока, когда скорость рекомбинации выходит на полное насыщение U NR/th рекомбинационные процессы в исследуемых образцах определяются серией комплексов с вакансиями и другими дефектами, которые образуют сложные центры рекомбинации и определяют механизмы переноса носителей.
3. Установлено, что после воздействия УЗО окисные заряды отжигаются и даже вносят вклад в создание дополнительных поверхностных ловушек, а нестабильные точечные дефекты, находящиеся в приповерхностном слое полупроводника, становятся электрически нейтральными, приводя при этом к увеличению прямого тока примерно на 25-30%, и уменьшению обратного тока на 6-9%.
4. Выявлено, что структура Al - А12О3 - p-CdTe - МоО3 - Мо в пропускном направлении тока работает как инжекционный фотоприемник с высокой фоточувствительностью при малых интенсивностях полезного сигнала за счет насыщающего характера зависимости фототока от интенсивности оптического излучения.
5. Экспериментально показано, что быстродействие А1 - АЬОз -p-CdTe - МоОз - Mo-структуры в запорном направлении на два порядка выше по сравнению с пропускным направлением.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время, в мире активно развивается физика полупроводников, где пристальное внимание уделяется получению нового типа материала на основе кремния, путем создания в его кристаллической решетке наноразмерных кластеров изменяющих его фундаментальные свойства. В этом аспекте важными задачами являются формирование многократно заряженных нанокластсров в кристаллической матрице кремния и открытие его перспективных функциональных возможностей, а также применение этого материала в микроэлектронике, материаловедении и других областях.
В мире на сегодняшний день уделяется большое внимание формированию нанокластсров в решетке кремния кратность заряда которых больше трех, приводящее к существенному изменению его фотоэлектрических и фундаментальных свойств. При этом одной из важных задач является проведение целевых научных исследований по следующим направлениям: формирование многократно заряженных кластеров в кристаллической решетке кремния; определение влияния многократно заряженных нанокластсров на перенос заряда в кремнии; изменение фотоэлектрических и фундаментальных свойств кремния путем формирования в нем многократно заряженных нанокластсров атомов марганца; демонстрация возможности создания нового типа полупроводниковых приборов на основе кремния с многократно заряженными нанокластерами.
В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, особое внимание уделяется вопросам стимулирования научно-исследовательской и инновационной деятельности, создания эффективных механизмов внедрения научных и инновационных достижений в практику1. Особо следует отметить, что данная деятельность осуществляется в рамках объявленного Года поддержки активного предпринимательства, инновационных идей и технологий, нацеленного на получение научных результатов, отвечающих современным требованиям научного развития. В этом плане особое внимание уделяется вопросам формирования нанокластсров в кристаллической решетке кремния и развитию технологии получения новых материалов. В этом аспекте актуальной задачей является открытие новых функциональных возможностей кремния с нанокластсрами и создание на их основе нового типа фотоприемников и полупроводниковых приборов типа «счетчик фотонов».
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП-4947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 гг.» от 7 февраля 2017 года, в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах по дальнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017-2021 гг.» от 13 февраля 2017 года, № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативноправовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является определение влияния формированных многозарядных нанокластсров, кратность заряда которых больше трех в кристаллической решетке кремния на фотоэлектрические и фундаментальные свойства материала.
Научная новизна исследования заключаются в следующем:
определены оптимальные термодинамические условия легирования и параметры исходного материала, обеспечивающие формирование многократно заряженных нанокластсров с управляемой кратностью заряда;
установлено, что в кремнии с многократно заряженными центрами подвижность носителей заряда увеличивается в зависимости от интенсивности освещения в 3+5 раза и электрического поля в 2,5 раза, обусловленное уменьшением кратности заряда многозарядных центров при освещении и ослабление эффекта рассеяния носителей заряда на многозарядных центрах;
обнаружен эффект расширения спектральной области фоточувствительности кремния до 10 мкм при температуре 100 К, что объясняется перестройкой энергетического состояния электронов в многократно заряженных нанокластсрах;
обнаружен эффект высокой фоточувствитсльности в области 0,12+0,75 эВ обусловленный формированием локальных нановаризонных структур вокруг многозарядного центра согласно теории Франца-Келдыша из-за появления сильной напряженности электрического поля на краях кремний-кластер;
определено уменьшение фотопроводимости с максимальной величиной при 0,43+0,55 эВ без освещения «собственным» светом, объясняющегося туннелированием электронов из кластера на уровни потенциальных ям дырок;
установлена аномально высокая примесная остаточная фотопроводимость в области спектра 0,15+0,4 эВ, обладающая большим временем релаксации 10J сек, которая обусловлена отсутствием рекомбинации между захваченными электронами в кластерах и дырок находящихся в потенциальных ямах.
Выводы
1.Получены образцы кремния с многозарядными нанокластсрами атомов марганца, наличие которых подтверждено с помощью метода ЭПР.
2.Обнаружено, что в кремнии с многозарядными нанокластсрами, подвижность дырок в 2,5+3 раза меньше чем в обычном кремнии и ее температурная зависимость имеет немонотонный характер, а значение существенно зависит от интенсивности освещения.
3.Экспериментально определено, что при изменении значения электрического поля, фоточувствительность образцов меняется как , где значение I с ростом температуры, постепенно уменьшается в интервале 2+3.
4.Обнаружена примесная фотопроводимость в области спектра 0,75+1,12 эВ, величина которой близка к собственной фотопроводимости, это связанно с появлением энергетической полосы (подзоны) вблизи валентной зоны кремния.
5.Обнаружено уменьшение фотопроводимости с максимальной глубиной при энергии падающего ИК-излучения /?v=0,43 эВ без фонового света.
б.Обнаружен эффект примесного очувствления обусловленный пространственным разделением электронов и дырок за счет захвата электронов сильным положительным электрическим полем многозарядных кластеров атомов марганца.
7. На основе анализа обнаруженных электрофизических и фотоэлектрических явлений разработана модель зонной структуры кремния с многократно заряженными нанокластсрами.
8. Показана возможность создания чувствительного фотоприемника инфракрасного излучения работающего в диапазоне 3+10 мкм. Присутствие в материале многозарядных центров позволяет существенно увеличить эффективность хранения зарядов и получить приборы типа «счетчик фотонов».

В данной статье анализируется важность организации профессионально-ориентированного учебного процесса по физике в технических вузах. Изучена роль физических явлений и законов, важных для горнодобывающего направления, в технологиях производства, исследованы возможности применения тем, заданных в программе дисциплины, в профессиональной сфере. Разработаны методические указания по решению профессионально-ориентированных задач по разделу молекулярной физики, с их помощью даны рекомендации по организации практических занятий по физике. На практических занятиях изложены преимущества решения профессионально-ориентированных задач.

This article analyzes the poetic language, stylistic variety, and expressive richness found in the short stories of one of the prominent representatives of modern Uzbek literature—Khayriddin Sulton. The study focuses on his individual narrative style, use of artistic devices such as metaphors, epithets, and symbols, as well as the philosophical and lyrical-epic unity of his works. The article also highlights the author’s contribution to the genre of short stories, his approach to dialogue and character speech, and the national and spiritual depth present in his literary language. The analysis is based on Sulton's complete body of short stories, supplemented by scholarly critiques and literary studies.