58
В нашей республике этот метод тоже стали использовать, чему я несказанно рада. Что
касается моего мнения, я бы предложила правительству о «переселении всех
производственных предприятий на периферию», чтобы все вредные выхлопы находились
вдали от городов и населенных пунктов. Это требует больших затрат, но здоровое
поколение должно являться главной задачей правительства.
Литература:
1.
Экологическое сознание и экологическая культура, проблемы и
// Вестник Томского государственного педагогического университета. —
2.
Бурко, Р. А. Экологические проблемы современного общества и их пути решения.
3.
Mustafayeva, Z. (2021). MAKTABGACHA TA’LIM TARBIYACHISI PEDAGOGIK
FAOLIYATINING O’ZIGA XOSLIGI.
Academic research in educational sciences
,
2
(10), 912-
916.
4.
Мустафаева, З. С. (2022). ФОРМИРОВАНИЕ НАВЫКОВ САМООБСЛУЖИВАНИЯ У
ДЕТЕЙ ДОШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА MAKTABGACHA YOSHDAGI BOLALARDA
O'ZO'ZIGA XIZMAT QILISh KONIKMASINI SHAKLLANTIRISH FORMATION OF SELF-
SERVICE
SKILLS
IN
PRESCHOOL
CHILDREN.
O'ZBEKISTONDA
FANLARARO
INNOVATSIYALAR VA ILMIY TADQIQOTLAR JURNALI
,
1
(12), 787-791.
5.
Saidkulovna, M. Z. (2023). HEALTH SAVING TECHNOLOGIES IN PRESCHOOL
EDUCATION.
International Journal of Pedagogics
,
3
(11), 138-140.
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ ПРИМЕСИ
СЕРЕБРА В КРЕМНИИ
PhD по ф.-м. н. Наурзалиева Эльмира Махамбетяровна,
PhD по ф.-м. н. Есбергенов Дарьябай Муратбаевич
Нукусский филиал Ташкентского Университета Информационных Технологий
e-mail:
Аннотация:
В статье представлены результаты исследования поверхностных
состояний атомов серебра в кремнии методом Рамановской спектроскопии. Показано, что
легирование кремния серебром приводит к изменению спектров КР, появлению новых
пиков и асимметрии основного пика. Это свидетельствует о наличии колебаний типа AgO,
образовании комплексных дефектов с атомами кислорода и частичном замещении атомов
кремния атомами серебра.
Ключевые слова:
Рамановская спектроскопия, кремний, серебро, диффузия,
дефекты.
Известно, что параметры
различных приборов на основе кремниевых структуры
в
некоторой степени зависит от типа неконтролируемых примесей – кислород, углерод,
металлы, находящихся в
кремниевой пластине или вводимых в процессе изготовления
приборов. Несмотря на многочисленные исследования, проводимые разными учеными,
нет четкой картины микроскопической структуры дефектов, с которыми связаны атомы
переходных и редкоземельных элементов в кремнии. Например, авторы работы [1]
показали, что подавляющее большинство атомов Ag находятся в позициях внедрения
59
(Ag
I
); и что замещающее серебро (Ag
S
), либо не встречается, либо встречается только в
очень
низких
концентрациях.
Используя
исследования
ЭПР,
авторы
[2]
идентифицировали этот изолированный Ag, который представляет собой лишь
небольшую часть от общего количества присутствующих примесных атомов серебра.
Спектроскопия
комбинационного
рассеяния
оказалась
ключевым
экспериментальным методом благодаря своей способности выявлять структурные и
электронные эффекты в неразрушающих измерениях. Раман спектроскопия — быстрый и
удобный метод изучения колебательных и структурных свойств материалов — широко
применяется для исследования структуры кристаллических и аморфных кремниевых
полупроводников. Комбинационное рассеяние может измерять изменения частот
колебаний, вызванные микроструктурой или наличием локальных деформаций, которые
могут быть вызваны искажением валентного угла.
В данной работе рассматриваются поверхностные состояния атомов серебра и
гадолиния в кремнии методом Рамановской спектроскопии.
Для измерений были
выбраны образцы кремния n-типа (ρ=7.5 Ω·cm, N
D
≈ 6·10
14
см
-
3
) выращенные методом Чохральского. Легирование примесями серебра и гадолиния
проводилось диффузионным методом при температуре 1100
0
С в течение 7-10 ч. Полная
растворимость атомов серебра в кремнии при этой температуре достигается до ~ 6,5·10
15
см
-3
.
Спектры комбинационного рассеяния (КРС) были получены на спектрометре InVia
Raman фирмы Renishaw, с использованием длины волны возбуждения 785 нм, время
интегрирования составляло 10с.
Из теории известно, что механизмы диффузии позволяют атомам примесей,
находиться двух состояниях: а) S-узельное состояние, т.е. атомы замещения; б) I-
межузельное состояния - атомы внедрения.
Спектры КР света монокристаллического кремния Si симметричный высокий пик в
области 521 см
-1
шириной на полувысоте 8–12 см
–1
. Интенсивность рассеяния первого
порядка при 521 см
-1
, обусловленного поперечными (TO) и продольными (LO)
оптическими фононами. В отличие от основного пика, можно наблюдать рассеяние на
акустических фононах второго порядка при 303 см
-1
(ТА). Некоторые авторы
предполагают, что этот пик соответствует модам LA [3], но точного подтверждения этому
факту нет. Вероятно, мы наблюдаем наложение поперечных и продольных акустических
мод. Также имеется широкий пик между 920–1000 см
-1
, который обусловлен рассеянием
нескольких поперечных оптических фононов ~2TO фононов. На сегодняшний день нет
единого мнения о происхождении широкого пика. Некоторые авторы утверждают, что
этот пик формируется суперпозицией двух или более оптических мод [4].
Как видно из рисунка рис.1 дальнейшее легирование монокристаллов n-Si атомами
примеси серебра приводит к некоторому изменению спектров КР.
В спектре наблюдается некоторая асимметричность пика при 521 см
-1
со стороны
меньших частот рассеяния. Кроме того, подъем основного пика Si на левом крыле в
области при 303–489 см
-1
свидетельствует о наличии колебании типа AgO. Авторы работы
[5] в этой области наблюдали моды при 302, 379, 429, 467 и 487 см
-1
связанные с
комбинационными колебаниями AgO.
60
Рис.2. Спектр КР
кремния, легированного атомами серебра. Колебательные моды: Si
TA
–
145 см
-1
, Si
2TA
– 303 cм
-1
, Ag-O
– 303÷489 cм
-1
, Si
TO+LO
– 521 cm
-1
, Si
2TO
– 920-1000 см
-1
.
При сравнении спектров КР образцов Si и n-Si<Ag> было выявлено, что после
легирования атомами Ag интенсивность основного колебания при 521 см
–1
незначительно
уменьшилось, возможно это связано с частично узельным механизмом диффузии атомов
серебра в кремнии. Кроме этого в спектре КР образца Si<Ag> виден небольшой широкий
пик области 145 см
-1
, интенсивность которого прямо пропорционален с концентрацию
атомов Ag.
Появление этого рассеяние свидетельствует о наличии в приповерхности
преципитатов (включений) кислорода в кремнии в аморфной (SiO
x
) и кристаллической
(SiO
2
) форме ростового характера в локально дефектных местах матричной решётки.
Предполагается, что узельные атомы серебра (Ag
S
) при процессе диффузии образуют
комплексные дефекты с атомами кислорода, которая приводит к образованию связи Si
I
-O
характера.
Таким образом, исследованы процессы комбинационного рассеяния света в
кремнии, диффузионно-легированном примесями серебра. Показано, что спектр КР
кремния после легирования примесью серебра приобретает некоторые существенные
отличия. Также было обнаружено, что ассиметричный характер и подъем на левом крыле
оптического рассеяние при 521 см
-1
говорит о наличии составляющих колебании
соединение AgO. Показано, что атомы серебра в кристалле кремния частично
замещаются.
Литература
1.
Rollert F., Stolwijk N.A. and Mehrer H., J. Phgs. D 20 (1987) 1148
2.
Son N.T., Kustov V.E., Gregorkiewicz T. and Ammerlaan C-A-J-, J. Appt. Phgs. 73 (1993)
1797
3.
Wensheng Wei, “One-and two-phonon Raman scattering from hydrogenated nanocrystalline
silicon films,” Vacuum, 81 857 –865 (2007).
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2006.10.005
4.
Dorra Abidi, Bernard Jusserand, Jean-Louis Fave, “Raman scattering studies of heavily doped
microcrystalline porous silicon,” Phys. Rev. B, 82 (7), 075210 –075221 (2010).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.075210
500
1000
Ag-O
Si
TA
Si
2TO
Si
2TA
Инт
енс
ивно
сть
(о
тн.
ед.)
Раман сдвиг (см
-1
)
Si
TO+LO
61
5.
N. Ravi Chandra Raju, K. Jagadeesh Kumar, and A. Subrahmanyam , "Silver oxide (AgO)
thin films for Surface Enhanced Raman Scattering (SERS) studies", AIP Conference
Proceedings 1267, 1005-1006 (2010)
https://doi.org/10.1063/1.3482261
BALIQCHILIK OZUQALARINI BIR HUJAYRALI SUVO‘TLARI BILAN BOYITISH
BIOTEXNOLOGIYASI
Norboyev Muhammad Tursunpulat o‘g‘li
Samarqand Davlat Universiteti Biokimyo Instituti tayanch doktorant(PhD), O‘zbekiston
Annotatsiya:
Respublikamiz hududida go‘sht mahsulotlarga bo‘lgan talab yuaqoriligi
sababli ichki bozorni sifatli baliq mahsulotlari bilan taminlash uchun baliqchilik xo‘jaligida
yetishtirib chiqariladigan baliq mahsulotlari uchun tabiiy ozuqa muhitlrini yetishtirish usullari
bayon qilingan.
Kalit so’zlar:
Baliqchilik, akvakultura, ozuqa muhiti, suvo‘tlari
Kirish:
Hozirgi kunda rivojlanayotgan mamlakatlarda ishlab chiqarishning ko'p qismi
dehqonchilik texnologiyalaridan foydalangan holda hovuz yoki ochiq suvda keng,
takomillashtirilgan intensiv va yarim intensiv amaliyotlar asosida amalga oshiriladi.
Oziqlantirish ushbu akvakulturaning barqaror rivojlanishida muhim rol o‘ynaydi. Shu bois tabiiy
ozuqa resurslarini ishlab chiqarish muhim masalalardan hisoblanadi. So‘nggi yillarda
respublikamizda oziq-ovqat mahsulotlari ishlab chiqarish hajmini oshirish, jumladan, ichki
bozorni sifatli va arzon baliq mahsulotlari bilan to‘ldirish, oziq-ovqat mahsulotlarining talab
yuqori bo‘lgan turlariga narxlar barqarorligini ta‘minlashga qaratilgan maqsadli dasturlar qabul
qilindi va amalga oshirilmoqda. Natijada mamlakat miqyosida 3 mingdan ortiq baliqchilik
xo‘jaliklari faoliyati yo‘lga qo‘yildi. Baliqchilik xo‘jaliklarini rivojlantirishni tizimli qo‘llab-
quvvatlash maqsadida tijorat banklari tomonidan kreditlar ajratilmoqda va ushbu kreditlar suv
omborlarida hamda tabiiy havzalardagi sun’iy qurilmalarda intensiv usulda baliq yetishtirishning
zamonaviy texnologiyalarini joriy etishga yo‘naltirilmoqda[3]. Akvakulturaning barqaror
rivojlanishi raqobatdosh foydalanuv-chilarning ehtiyojlarini qondirishni va atrof-muhitning
yaxlitligini himoya qilishni hisobga olishi va ta’minlashi kerak. Shu sababli, akvakulturani
barqaror boshqarish mahalliy sharoitlardan kelib chiqqan holda resurslarni taqsimlash kerak.
Baliqlar va boshqa suv hayvonlarining o‘sishi, sog‘lig‘i va ko‘payishi, birinchi navbatda, ular
yetishtiriladigan madaniyat tizimidan qat‘iy nazar, miqdori va sifati bo‘yicha ozuqa
moddalarining etarli darajada ta‘minlanishiga bog‘liq. O‘stirilayotgan turlarning ozuqa
moddalari va energiyaga bo‘lgan talablari qondirilishi va tizimning ishlab chiqarish maqsadlariga
erishishi uchun xom ashyo (ozuqa, o‘g‘it va boshqalar) ta‘minlanish muhim. Oziq moddalarga
bo‘lgan talablar to‘g‘risida to‘liq ma‘lumotlar faqat cheklangan miqdordagi turlar uchun mavjud.
Bir necha baliq va qisqichbaqalar turlari uchun protein va lipidlarga bo‘lgan ehtiyoj va
uglevodlardan foydalanish nisbatan yaxshi o‘rganilgan bo‘lsa-da, aminokislotalar, yog‘
kislotalari va minerallar kabi mikroelementlarga bo‘lgan talablar to‘g‘risidagi ma‘lumotlar faqat
eng ko‘p yetishtiriladigan go‘shtli va tanlangan baliq turlari uchun mavjud.
Hovuz baliqchilik xo‘jaligida ishlatiladigan baliq ozuqasi 3 turga bo‘linadi.
1.
Tabiiy ozuqa.
Hovuzdagi tabiiy ozuqa resurslari: fitoplankton, zooplankton -
mikroskopik suv o‘tlari, yuksak suv o‘simliklari, tuban va yuksak qisqichbaqasimonlar,
bakteriyalar, detrit, zoobentos, nektobentos, hasharotlar va boshqa suv jonivorlarini o‘z ichiga
oladi. Tabiiy ozuqa resurslari miqdori, asosan suv sifatiga bog‘liq. Suvdagi gidrobiontlarni
ko‘paytirish ham tabiiy ozuqa resurslarini boyitadi. Ularning ozuqa koeffisiyenti 8-10 ga tengdir.
2.
Qo‘shimcha ozuqa
. Qo‘l bilan hovuzga kiritiladi. Ozuqaning bu turi mahalliy bozorda
bor. Chorva chiqindilari, o‘simlik hosili, va oshxona chiqindilarini ham qo‘shimcha ozuqalar
qatoriga kiritish mumkin. Bunday ozuqa koeffisiyenta 5-6 ga teng. Hozirgi kunda
tayyorlanadigan omixta yem sifatsiz, u kepakdan yoki syellyulozadan iborat. Qo‘shimcha ozuqa
